[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201810843852.5 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN109003939B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层和位于所述层间介电层中的铜互连结构；
采用含硼化合物和含氮及硅的化合物的混合气体处理所述铜互连结构的顶面，以形成金属覆盖层；
在所述层间介电层和所述金属覆盖层上形成电介质覆盖层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在采用含硼化合物和含氮及硅的化合物的混合气体处理所述铜互连结构的顶面之前，还包括使用氮气或者氨气处理所述铜互连结构的顶面的步骤。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硼化合物选自硼烷及其烷基取代衍生物、碳硼烷、硼氮苯分子及其烷基取代衍生物、胺类硼烷、及其组合。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氮及硅的化合物选自三硅基氮、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、四甲基硅氮烷、六甲基环三硅氮烷和九甲基三硅氮烷中的一种或几种。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硼化合物为三甲基硼，所述含氮及硅的化合物为三硅基氮。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述金属覆盖层的工艺参数为：所述含氮及硅的化合物的流量为200立方厘米/分钟～1500立方厘米/分钟，通入所述含硼化合物的流量为200立方厘米/分钟～1500立方厘米/分钟，反应室内压力为0.1毫托～100毫托，反应温度为150℃～400℃，等离子体处理的时间为5s～300s。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属覆盖层的材料包括CuSiBN。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述电介质覆盖层之前还包括采用氨气和氮气软氮化所述金属覆盖层的步骤。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述层间介电层和所述半导体衬底之间形成有刻蚀停止层。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质覆盖层材料为氮化硅或者掺碳的氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
