[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，包含：

半导体叠层，包含第一半导体层，第二半导体层及主动层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间，其中该第一半导体层包含第一表面，且该第二半导体层包含第二表面；

反射层，位于该第一半导体层的该第一表面上；

导通孔，从该第一表面往该第二表面延伸，其中于该半导体发光元件的上视图上，该导通孔环绕该半导体叠层的周围；

第一绝缘层，包含第一开口W1位于该导通孔中，及第二开口W2露出该反射层；

连接层，包含第一连接层位于该导通孔内及第二连接层位于该第一绝缘层上，其中该第一绝缘层的该第二开口W2为该连接层所环绕；

第二绝缘层，包含第三开口W3及第四开口W4位于该连接层上，其中该第三开口W3的位置与该第二开口W2的位置重叠，该第四开口W4的位置与该第一开口W1的位置错开；

第一焊接部，位于该第二绝缘层上并覆盖该第四开口W4；以及

第二焊接部，位于该第二绝缘层上并覆盖该第三开口W3。

2.一种半导体发光元件，其特征在于，包含：

半导体叠层，包含第一半导体层，第二半导体层及主动层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间，其中该第一半导体层包含第一表面，且该第二半导体层包含第二表面；

反射层，位于该第一半导体层的该第一表面上；

多个导通孔，从该第一表面往该第二表面延伸，其中于该半导体发光元件的上视图上，该多个导通孔彼此分离，并为该半导体叠层所环绕；

第一绝缘层，包含第一开口W1位于各该多个导通孔中，及第二开口W2露出该反射层；

连接层，包含第一连接层位于该多个导通孔内及第二连接层位于该第一绝缘层上；

第二绝缘层，包含第三开口W3及第四开口W4位于该连接层上，其中该第三开口W3的位置与该第二开口W2的位置重叠，该第四开口W4的位置与该第一开口W1的位置错开；

第一焊接部，位于该第二绝缘层上并覆盖该第四开口W4；以及

第二焊接部，位于该第二绝缘层上并覆盖该第三开口W3。

3.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，还包含透明基板，位于该半导体叠层的该第二表面上，其中该第一表面及该第二表面其中之一为一粗糙表面。

4.如权利要求3所述的半导体发光元件，其中该透明基板包含侧边突出于该半导体叠层的侧边。

5.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，还包含多个接触结构位于该第一表面上并接触该第一半导体层，其中该多个接触结构包含金属。

6.如权利要求5所述的半导体发光元件，还包含一具有低折射率材料的第一反射层形成于该多个接触结构之间。

7.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中该反射层包含银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)或上述材料的合金。

8.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中该第一焊接部包含一第一面及突出于该第一面的第二面432，该第一面与该第二面之间具有一高度，且该高度大于或等于该第二绝缘层的厚度。

9.如权利要求2所述的半导体发光元件，其中该多个导通孔的间的最短距离D1大于该第一焊接部与该第二焊接部间的最短距离D2。

10.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中该第一焊接部与该第二焊接部包含钛(Ti)、铂(Pt)、镍(Ni)、锡(Sn)、金(Au)或其合金。