[发明专利]一种RAID卡供电电路

权利要求书

1.一种RAID卡供电电路，其特征在于，包括PMOS管、电流侦测单元及或运算单元；所述PMOS管的D端与所述电流侦测单元连接，所述PMOS管的S端与RAID卡的掉电保护电路中的备电单元连接，所述PMOS管的G端与所述或运算单元的输出端连接，所述或运算单元的输入端分别与所述电流侦测单元的输出端及所述掉电保护电路中的掉电检测单元的输出端连接，所述电流侦测单元设置于所述备电单元及所述RAID卡之间，用于在所述备电单元为所述RAID卡供电的过程中，如果判断出所述备电单元及所述RAID卡之间的线路发生过流，则输出高电平以控制所述PMOS管断开；

所述RAID卡供电电路还包括供电端、充电单元、第二PMOS管及第三PMOS管，所述供电端的输出端分别与所述第三PMOS管的D极、所述掉电检测单元的输入端及所述充电单元的输入端连接，所述充电单元的输出端与所述备电单元的输入端连接，所述第三PMOS管的G极与所述掉电检测单元连接，所述第三PMOS管的S极分别与所述RAID卡及所述第二PMOS管的S极连接，所述第二PMOS管的G极分别与所述掉电检测单元及所述或运算单元连接，所述第二PMOS管的D极与所述电流侦测单元连接，所述供电端正常供电时，所述掉电检测单元控制所述第三PMOS管连接，所述第二PMOS管断开，所述PMOS管断开，所述RAID卡由所述供电端供电，所述供电端掉电时，所述掉电检测单元控制所述第三PMOS管断开，所述第二PMOS管导通，所述PMOS管导通，所述RAID卡由所述备电单元供电；其中，所述PMOS管、所述第二PMOS管及所述第三PMOS管为三个互相独立的PMOS管。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述或运算单元的输入端与所述电流侦测单元之间还设置有具有隔离保护作用的隔离单元。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述隔离单元包括第一NMOS管及第二NMOS管，所述第一NMOS管的D端连接电源及所述第二NMOS管的G端，所述第一NMOS管的G端连接所述电流侦测单元的输出端，所述第二NMOS管的D端连接电源及所述或运算单元的输入端，所述第一NMOS管及所述第二NMOS管的S端均接地。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一NMOS管与对应连接的电源之间还设置有第一电阻，所述第二NMOS管与对应连接的电源之间还设置有第二电阻。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电流侦测单元包括电流侦测芯片及第三电阻，所述第三电阻设置于所述备电单元及所述RAID卡之间，所述电流侦测芯片的采集端正端及采集端负端分别与所述第三电阻的两端连接。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述电流侦测芯片的采集端正端与所述第三电阻之间还设置有第四电阻，所述电流侦测芯片的采集端负端与所述第三电阻之间还设置有第五电阻。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述电流侦测芯片为ADM1276芯片，所述ADM1276芯片的引脚SENSE+作为所述采集端正端，所述ADM1276芯片的引脚SENSE-作为所述采集端负端，所述ADM1276芯片的引脚GATE作为所述电流侦测单元的输出端。

8.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述或运算单元包括第一肖特基二极管及第二肖特基二极管，所述第一肖特基二极管的正端与所述掉电检测单元的输出端连接，所述第一肖特基二极管的负端与所述PMOS管的G端连接的同时与所述第二肖特基二极管的负端以线或的方式连接，所述第二肖特基二极管的正端与所述第二NMOS管的D端连接。