[发明专利]改善闪存单元擦除相关失效的工艺集成方法

权利要求书

1.一种改善闪存单元擦除相关失效的工艺集成方法，其特征在于，闪存单元栅极结构和外围逻辑区栅极完成刻蚀后，进行如下步骤：

步骤一，在闪存单元的栅极结构的侧面和顶面形成一氧化硅层；

步骤二，在栅极结构的氧化硅层外侧形成氮化硅层；

步骤三，进行源极刻蚀；

步骤四，将栅极结构外侧的氮化硅层和氧化硅层去除；

步骤五，进行源极离子注入；

步骤六，在栅极结构形成侧墙并进行浅沟道注入，形成轻掺杂漏区。

2.根据权利要求1所述的改善闪存单元擦除相关失效的工艺集成方法，其特征在于，在步骤一中，所述氧化硅层的厚度为15埃～40埃。

3.根据权利要求1所述的改善闪存单元擦除相关失效的工艺集成方法，其特征在于，在步骤二中，所述氮化硅层的厚度为30埃～80埃。

4.根据权利要求3所述的改善闪存单元擦除相关失效的工艺集成方法，其特征在于，所述氮化硅层的形成温度为620℃～680℃。

5.根据权利要求1所述的改善闪存单元擦除相关失效的工艺集成方法，其特征在于，在步骤三中，闪存单元的栅极结构中间的未被氮化硅层和氧化硅层覆盖的有源区区域的硅被刻蚀。

6.根据权利要求1所述的改善闪存单元擦除相关失效的工艺集成方法，其特征在于，在步骤四中，氮化硅层采用干法刻蚀，氧化硅层采用湿法刻蚀。

7.根据权利要求5所述的改善闪存单元擦除相关失效的工艺集成方法，其特征在于，在步骤五中，被氮化硅层和氧化硅层保护的有源区区域和有源区硅损失区域进行N+注入离子，被保护有源区中的源极掺杂与有源区硅损失区域的掺杂相连接。

8.根据权利要求1所述的改善闪存单元擦除相关失效的工艺集成方法，其特征在于，在步骤六中，所述漏区采用N+离子注入。

9.根据权利要求1所述的改善闪存单元擦除相关失效的工艺集成方法，其特征在于，在步骤一和步骤二之间进行离子注入，注入离子为砷，能量在10KeV～15KeV，剂量在5E13～5E14atom/cm²。

10.根据权利要求1所述的改善闪存单元擦除相关失效的工艺集成方法，其特征在于，闪存单元栅极结构和外围逻辑区栅极的形成具体包括如下步骤：

步骤一，形成各闪存单元栅极结构中的第一栅氧化层、多晶硅浮栅极；

步骤二，形成第二ONO层，该第二ONO层位于存储区中；

步骤三，在逻辑区中形成栅氧化层；

步骤四，形成多晶硅层，所示多晶硅层覆盖在存储区的第二ONO层表面以及逻辑区的栅氧化层表面；

步骤五，进行光刻刻蚀，形成闪存单元的存储区的多晶硅控制栅极，同时刻蚀形成外围逻辑区的多晶硅栅极。