[发明专利]在锆合金表面制备SiC涂层的方法及其应用

权利要求书

1.一种在锆合金表面制备SiC涂层的方法，其特征在于，包括：

将锆合金表面进行抛光处理；

将进行所述抛光处理后的锆合金进行酸洗处理；

利用等离子体增强化学气相沉积方法，在经过所述酸洗处理的锆合金的表面上形成SiC涂层；

对所述SiC涂层进行等离子体轰击处理，所述等离子体轰击处理的工艺条件为：底部温度200-550℃，真空度10-190Pa，Ar流量160-400sccm，H₂流量40-280sccm，放电功率40-600W，处理时间10-60min；

于所述等离子体轰击处理的温度下对经过所述等离子轰击处理的SiC涂层保温5-20h。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述SiC涂层的工艺条件为：底部温度130-480℃，侧壁温度80-4000℃，真空度10-230Pa，Ar流量150-460sccm，H₂流量30-320sccm，CH₄流量20-180sccm，SiH₄流量5-130sccm，放电功率30-700W，沉积时间30-260min。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，经过所述酸洗处理后，所述锆合金表面的粗糙度为0.2-0.4μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸洗处理是采用HF：HNO₃：H₂O的质量比为(1-10)：(10-65)：(30-95)的混酸进行的，酸洗时间为30-500s。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述酸洗处理之后，形成所述SiC涂层之前，进一步包括：

对所述锆合金进行超声波清洗，所述超声波清洗的时间为10-30min。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述酸洗处理之后，形成所述SiC涂层之前，进一步包括：

对所述锆合金进行恒温恒压处理，所述恒温恒压处理的工艺条件为：底部温度100-260℃，压强1-50Pa，处理时间4-12h。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述酸洗处理之后，形成所述SiC涂层之前，进一步包括：

对所述锆合金进行等离子体放电清洗，所述等离子体放电清洗的工艺条件为：底部温度150-500℃，侧壁温度100-350℃，真空度10-200Pa，Ar流量200-400sccm，H₂流量50-300sccm，放电功率50-500W，清洗时间10-120min。