[发明专利]一种纳米孔金薄膜的制作方法及应用该薄膜的硅基

权利要求书

1.一种纳米孔金薄膜的制作方法及应用该薄膜的硅基，包括待加工的硅片，其特征在于，微结构纳米孔金薄膜的制作方法包括以下步骤：

a、在硅片的表面制作形成均匀的单层聚苯乙烯微球层。

b、使用氧气等离子缩小聚苯乙烯微球的直径，保证微球间隙。

c、在硅片上蚀刻出微结构。

d、将聚苯乙烯微球层移出硅片的加工面，形成硅基。

e、在硅基表面均匀覆盖一层金银合金薄膜。

f、将金银合金薄膜中的银原子去除，形成微结构纳米孔金薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种纳米孔金薄膜的制作方法及应用该薄膜的硅基，在该步骤a中，其特征在于，硅片表面形成单层聚苯乙烯微球层的方法采用Langmuir-Blodgetttrough。

3.根据权利要求1所述的一种纳米孔金薄膜的制作方法及应用该薄膜的硅基，在该步骤c中，其特征在于，硅片蚀刻采用反应离子蚀刻技术，选取CF4作为蚀刻气体。

4.根据权利要求1所述的一种纳米孔金薄膜的制作方法及应用该薄膜的硅基，在该步骤d中，其特征在于，使用氯仿溶剂将残余聚苯乙烯微球从硅基表面移除。

5.根据权利要求1所述的一种纳米孔金薄膜的制作方法及应用该薄膜的硅基，在该步骤e中，其特征在于，通过溅射镀膜技术，使用金银合金靶材在硅基表面覆盖一层合金薄膜。

6.根据权利要求4所述的一种纳米孔金薄膜的制作方法及应用该薄膜的硅基，其特征在于，所述金银合金靶材中金银原子个数比为28:72。

7.根据权利要求1所述的一种纳米孔金薄膜的制作方法及应用该薄膜的硅基，在该步骤f中，其特征在于，将金银合金薄膜中银原子去除的方法为放于浓硝酸中浸泡的脱合金工艺。

8.根据权利要求6所述的一种纳米孔金薄膜的制作方法及应用该薄膜的硅基，其特征在于，所述浓硝酸的浓度为68％。

9.一种应用该微结构纳米孔金薄膜的硅基，其特征在于，应用反应离子蚀刻技术，选取CF4为蚀刻气体，通过准确控制蚀刻功率、时间、蚀刻气压，可以实现多种微结构。

10.根据权利要求9所述的一种应用该微结构纳米孔金薄膜的硅基，其特征在于，所述蚀刻功率、时间、蚀刻气压，以及对应实现的多种微结构具体为，

蚀刻功率100W，蚀刻时间3min，蚀刻气压10mtorr，硅基表面微结构为盘状结构，

蚀刻功率100W，蚀刻时间6min，蚀刻气压20mtorr，硅基表面微结构为锥形结构，

蚀刻功率100W，蚀刻时间6min，蚀刻气压100mtorr，硅基表面微结构为针状结构。