[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示装置

说明书

本发明涉及显示技术领域，提出一种阵列基板的制作方法。该方法包括：在基板上形成金属图案层；在所述金属图案层的接触孔位置形成局部光刻胶层，所述接触孔用于连接所述金属图案层与氧化薄膜晶体管的源极或漏极；对所述局部光刻胶层进行离子注入；在所述金属图案层上形成多层功能层；利用第一浓度的刻蚀气体对所述多层功能层的接触孔位置进行刻蚀；利用第二浓度的刻蚀气体对所述局部光刻胶层进行刻蚀，其中，所述第一浓度大于所述第二浓度。本公开提供的阵列基板的制作方法可以避免高浓度刻蚀气体对金属图案层的损坏。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示装置。

背景技术

OLED显示装置中，薄膜晶体管(TFT)的顶栅设置相比底栅设置具有更高开态电流、更高开口率和更好稳定性。在薄膜晶体管的顶栅设置中，为保护沟道层的稳定性，通常会在TFT下会形成一层金属图案层用以避免外界光对其特性的干扰。然而，该金属图案层上集聚的电荷会对沟道层产生影响，因而，通常采用在阵列基板上设置接触孔的方式将金属图案层和TFT的漏极或者源极连接用以导出金属图案层的电荷。

相关技术中，通常采用干刻气体对阵列基板进行刻蚀从而在金属图案层与TFT的栅极或者漏极之间形成接触孔，然后在接触孔中灌注导电材料。

然而，干刻气体容易对金属图案层产生刻蚀损坏，从而导致金属图案层与TFT的栅极或漏极之间接触不良。

需要说明的是，在上述背景技术部分发明的信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示装置。该方法可以在一定程度上解决相关技术中干刻气体刻蚀损坏金属图案层的技术问题。

本发明的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。

根据本发明的一个方面，提供一种阵列基板的制作方法，该方法包括：

在基板上形成金属图案层；

在所述金属图案层的接触孔位置形成局部光刻胶层，所述接触孔用于连接所述金属图案层与氧化薄膜晶体管的源极或漏极；

对所述局部光刻胶层进行离子注入；

在所述金属图案层上形成多层功能层；

利用第一浓度的刻蚀气体对所述多层功能层的接触孔位置进行刻蚀；

利用第二浓度的刻蚀气体对所述局部光刻胶层进行刻蚀，其中，所述第一浓度大于所述第二浓度。

本发明的一种示例性实施例中，所述在基板上形成金属图案层包括：

在所述基板上形成金属层；

在所述金属层上涂覆光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光、显影，从而在所述光刻胶层上形成与所述金属图案层对应的图案；

对所述金属层进行刻蚀，将所述金属层形成所述金属图案层。

本发明的一种示例性实施例中，所述在所述金属图案层的接触孔位置形成局部光刻胶层包括：

对所述光刻胶层进行曝光时，通过半色调掩膜对所述光刻胶层进行曝光处理；

其中，显影后所述金属图案层上接触孔位置的光刻胶厚度为第一预设值，所述金属图案层上其他位置的光刻胶厚度为第二预设值，所述第一预设值大于所述第二预设值；

对所述光刻胶层进行灰化处理，所述灰化处理的目标厚度为所述第二预设值。