[发明专利]OLED基板及其制备方法、显示面板有效
| 申请号： | 201810836210.2 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109037465B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 谢蒂旎;李伟;张晓晋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 张雨竹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | oled 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种OLED基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上的显示区形成辅助阴极；
在形成有辅助阴极的基板上，且在所述显示区形成有机材料功能层；
向所述辅助阴极施加电压，使所述辅助阴极发生形变，以使所述有机材料功能层被发生形变的所述辅助阴极顶破，形成连接通道；
在形成有所述有机材料功能层的基板上，在所述显示区形成阴极；其中，在所述连接通道位置处，所述阴极与所述辅助阴极电连接。
2.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述辅助阴极包括层叠的底电极和顶电极，所述顶电极位于所述底电极远离所述基板的一侧。
3.根据权利要求2所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，在形成所述辅助阴极的所述底电极时，还同步形成反射阳极。
4.根据权利要求2所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述底电极呈网格结构；
所述顶电极为多个，多个所述顶电极间隔设置于所述底电极上。
5.根据权利要求2所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述顶电极的材料选自Cu60Zn40，FeNi22Cr3，FeNiMn6，FeNi13Mn7，Mn72Cr18Ni10中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述基板为TFT背板。
7.一种OLED基板，其特征在于，通过权利要求1-6任一项所述的OLED基板的制备方法制备得到；
所述OLED基板包括：基板、依次设置于所述基板上且位于显示区的辅助阴极、有机材料功能层以及阴极；
所述有机材料功能层上具有至少一个连接通道；在所述连接通道位置处，所述阴极与所述辅助阴极电连接；其中，所述辅助阴极包括层叠的底电极和顶电极，所述顶电极位于所述底电极远离所述基板的一侧；
所述底电极呈网格结构；
所述顶电极为多个，多个所述顶电极间隔设置于所述底电极上；
其中，所述顶电极和所述底电极的热膨胀系数具有差异，在所述顶电极和所述底电极通电的情况下，所述顶电极和所述底电极发生形变，所述顶电极顶破所述有机材料功能层，形成所述连接通道。
8.根据权利要求7所述的OLED基板，其特征在于，还包括设置于所述显示区且位于所述有机材料功能层靠近所述基板一侧的反射阳极；所述底电极与所述反射阳极同层设置。
9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求7-8任一项所述的OLED基板。
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