[发明专利]一种高频声表面波沟槽栅阵色散延迟线相位偏差补偿方法有效

专利信息
申请号: 201810835351.2 申请日: 2018-07-26
公开(公告)号: CN109194300B 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 刘梦伟;宫俊杰;王文;张碧星 申请(专利权)人: 中国科学院声学研究所
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02
代理公司: 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 代理人: 陈霁
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 高频 表面波 沟槽 色散 延迟线 相位 偏差 补偿 方法
【权利要求书】:

1.一种高频声表面波沟槽栅阵色散延迟线相位偏差补偿方法,其特征在于,包括:

生成第一高频声表面波沟槽栅阵色散延迟线;

获得所述第一高频声表面波沟槽栅阵色散延迟线的相位-频率特性曲线;

根据不同频率点处相位特性调整所对应反射栅阵的横向位置,获得相位补偿版图;

根据相位补偿版图生成第二高频声表面波沟槽栅阵色散延迟线。

2.根据权利要求1所述的相位偏差补偿方法,其特征在于,所述第一高频声表面波沟槽栅阵色散延迟线和所述第二高频声表面波沟槽栅阵色散延迟线包括高频叉指换能器和沟槽栅阵。

3.根据权利要求1所述的相位偏差补偿方法,其特征在于,所述第一高频声表面波沟槽栅阵色散延迟线和所述第二高频声表面波沟槽栅阵色散延迟线的中心频率范围是100MHz至3GHz,带宽为100至2GHz。

4.根据权利要求1所述的相位偏差补偿方法,其特征在于,所述第一高频声表面波沟槽栅阵色散延迟线和所述第二高频声表面波沟槽栅阵色散延迟线的生成过程包括:

采用铌酸锂压电材料、锗酸铋压电材料作为基底,沉积10-100nm量级铝薄膜,采用光刻工艺完成叉指换能器和沟槽栅阵金属掩膜制备,采用离子束刻蚀工艺进行沟槽栅阵的刻蚀,去除沟槽栅阵金属掩膜,在芯片边缘涂吸声胶。

5.根据权利要求1所述的相位偏差补偿方法,其特征在于,所述第一高频声表面波沟槽栅阵色散延迟线的生成数量不少于三个,根据不少于三个相位-频率特性曲线的平均值作为补偿前相位-频率特性曲线。

6.根据权利要求5所述的相位偏差补偿方法,其特征在于,所述第一高频声表面波沟槽栅阵色散延迟线沟槽栅阵的横向位置参数取值为:

其中:x为沟槽栅阵横向位置;f1为频率上限;ΔT为色散时延;ΔF为带宽;v为声表面波声速,f0为中心频率;

根据所述补偿前相位-频率特性曲线及其中频率f与沟槽栅阵横向位置x的对应关系,确定横向位置x处沟槽栅阵所对应的相位调整沟槽栅阵横向位置变化Δx为:

根据沟槽栅阵的横向位置变化Δx,调整沟槽栅阵的横向位置获得相位补偿版图。

7.根据权利要求6所述的相位偏差补偿方法,其特征在于,根据所述相位补偿版图生成第二高频声表面波沟槽栅阵色散延迟线。

8.根据权利要求1所述的相位偏差补偿方法,其特征在于,生成所述第二高频声表面波沟槽栅阵色散延迟线之后,重复权利要求1所述的相位偏差补偿方法,得到相位偏差合适的结果。

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