[发明专利]纳米氮化硅新材料的制造

权利要求书

1.纳米氮化硅新材料的制造，其特征在于，步骤如下：

(1)纳米氮化硅新材料的原料由氮化硅，氧化物、氮化物、碳化物中的一种或几种组成；

(2)先将原料倒入研钵中研磨混合均匀，再将研磨后的混合粉末加至球磨机中，混入溶剂进行湿法球磨；

(3)将球磨后的混合粉体置于干燥箱中蒸干，然后进行成型；

(4)将成型后的生坯送入真空烧结炉中，先升温至1400-1900℃，保温0.1-25h，然后在1700-2000℃下进行二次烧结，保温0.1-40h，随炉冷却至室温，得到毛坯；

(5)对毛坯进行表面磨削、去毛刺处理，即可得到纳米氮化硅新材料产品。

2.如权利要求1所述纳米氮化硅新材料的制造，其特征在于：所述步骤(1)中纳米氮化硅新材料的原料按照重量份计为：氮化硅150-200份、氧化钇30-50份和氧化铝30-50份。

3.如权利要求1所述的纳米氮化硅新材料的制造，其特征在于：所述步骤(1)中纳米氮化硅新材料的原料按照重量份计为：氮化硅150-200份、氧化钇30-50份、氧化铝30-50份和氧化镁5-10份。

4.如权利要求1所述的纳米氮化硅新材料的制造，其特征在于：所述步骤(1)中纳米氮化硅新材料的原料按照重量份计为：氮化硅150-200份、氧化钇30-50份、氧化铝30-50份和氮化钛4-7份。

5.如权利要求1所述的纳米氮化硅新材料的制造，其特征在于：所述步骤(2)中球磨机的球磨速度为300-450r/min。

6.如权利要求1所述的纳米氮化硅新材料的制造，其特征在于，所述步骤(2)中混入的溶剂为酒精。

7.如权利要求1所述的纳米氮化硅新材料的制造，其特征在于，所述步骤(4)中真空烧结炉的真空度为0.003-0.006Pa。