[发明专利]等离子体装置及其工作方法在审
| 申请号: | 201810834842.5 | 申请日: | 2018-07-26 |
| 公开(公告)号: | CN109037020A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
| 发明(设计)人: | 徐翼丰;曾德强;盖晨光;刘家桦;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
| 地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 腔室 等离子体装置 第一电极 顶部表面 基座表面 耦合 基底 等离子体发生单元 室内 内侧壁表面 直流正电压 基底处理 偏置单元 固设 平行 承载 施加 驱动 | ||
1.一种等离子体装置,其特征在于,包括:
腔室;
耦合于所述腔室的等离子体发生单元,用于产生等离子体;
位于所述腔室内的基座,所述基座固定于腔室底部,且所述基座用于承载待处理基底;
耦合于所述腔室的等离子体偏置单元,用于驱动所述等离子体在腔室内向基座表面运动;
第一电极,固设于所述腔室的部分内侧壁表面,且所述第一电极顶部表面高于基座的顶部表面,且所述第一电极被施加直流正电压。
2.如权利要求1所述的等离子体装置,其特征在于,所述第一电极沿腔室内侧壁的周向方向环绕所述基座。
3.如权利要求1所述的等离子体装置,其特征在于,所述第一电极包括若干个电极单元,各电极单元包括2个电极,每个电极单元中的2个电极相对设置,且相邻电极相互分立。
4.如权利要求3所述的等离子体装置,其特征在于,所述电极单元的个数为1个或者1个以上。
5.如权利要求1所述的等离子体装置,其特征在于,所述第一电极的底部表面高于、低于或齐平于所述基座的顶部表面。
6.如权利要求1所述的等离子体装置,其特征在于,还包括:位于腔室内的第二电极和第三电极,所述第二电极固定于腔室顶部,所述第三电极设置于基座内。
7.如权利要求6所述的等离子体装置,其特征在于,当所述等离子体发生单元为电容型时,所述等离子体发生单元包括:所述第二电极、第三电极和第一射频电源,所述第一射频电源与第二电极或第三电极电连接。
8.如权利要求6所述的等离子体装置,其特征在于,当所述等离子体发生单元为电感型时,所述等离子体发生单元包括:线圈以及第二射频电源,所述线圈位于腔室的顶部,所述第二射频电源与所述线圈电连接。
9.如权利要求7或8所述的等离子体装置,其特征在于,所述等离子体偏置单元包括:所述第二电极、所述第三电极、以及与所述第三电极电连接的第三射频电源。
10.一种等离子体装置的工作方法,其特征在于,包括:
提供待处理基底;
提供如权利要求1至权利要求9任一项所述等离子体装置;
将待处理基底置于基座上;
将待处理基底置于基座上之后,通过等离子体发生单元产生等离子体;
在第一电极上施加直流正电压,在基座上形成平行于基座表面的电场;
通过所述等离子体偏置单元使等离子体向基座表面运动。
11.如权利要求10所述的等离子体装置的工作方法,其特征在于,所述直流正电压的范围为0伏特~2000伏特。
12.如权利要求10所述的等离子体装置的工作方法,其特征在于,当等离子体发生单元为电容型时,所述等离子体发生单元中第一射频电源提供的第一射频功率的范围为:0瓦~5000瓦。
13.如权利要求10所述的等离子体装置的工作方法,其特征在于,当等离子体发生单元为电感型时,所述等离子体发生单元中第二射频电源提供的第二射频功率的范围为:0瓦~5000瓦。
14.如权利要求12或者13所述的等离子体装置的工作方法,其特征在于,所述等离子体偏置单元中第三射频电源提供的第三射频功率的范围为:0瓦~5000瓦。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810834842.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:干蚀刻设备
- 下一篇:一种新型紫外光电管及其制作方法





