[发明专利]二极管器件及其制造方法、二极管装置

权利要求书

1.一种二极管器件，所述二极管器件包括层叠设置的第一电极、空穴传输层、发光功能层、电子传输层和第二电极，其特征在于，所述发光功能层包括至少一个发光功能子层，每个所述发光功能子层都包括层叠设置的光探测层和电致发光层，所述光探测层与所述电致发光层的能级势垒之差不超过1.5eV，

制造所述光探测层的材料包括铜铟硫体系化合物制造的量子点材料或铜铟硫体系化合物制造的纳米晶材料；制造所述电致发光层的材料包括油溶性量子点材料。

2.根据权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，所述铜铟硫体系化合物包括CuInS₂、CuInSe₂、CuInS_xSe_2-x、CuInZn_yS_2+y和CuIn_yGa_1-ySe₂中任意一种或者任意几种，其中，0＜x＜2,0＜y＜1。

3.根据权利要求1或2所述的二极管器件，其特征在于，

制造所述第一电极的材料包括透明电极材料，或者所述第一电极形成为纳米银线网；

制造所述第二电极的材料包括导电金属材料。

4.根据权利要求1或2所述的二极管器件，其特征在于，所述光探测层的厚度在20nm至1000nm之间；所述电致发光层的厚度在20nm至1000nm之间。

5.一种二极管装置，所述二极管装置包括至少一个二极管器件，其特征在于，所述二极管器件为权利要求1至4中任意一项所述的二极管器件。

6.根据权利要求5所述的二极管装置，其特征在于，所述二极管装置还包括电源模块、触发元件和开关元件，

所述触发元件的输入端与所述第二电极电连接，所述触发元件的第一输出端与所述第一电极电连接，所述触发元件的第二输出端与所述开关元件的控制端电连接，所述开关元件的第一端和该开关元件的第二端能够在接收到从所述第二输出端输出的光电流时导通；

所述电源模块的输出端与所述开关元件的第一端电连接，所述电源模块的输入端与所述第二电极电连接，所述开关元件的第二端与所述第一电极电连接。

7.根据权利要求6所述的二极管装置，其特征在于，所述电源模块能够输出脉冲信号，所述二极管装置还包括调整模块，所述调整模块能够根据所述二极管器件在所述脉冲信号的低电平状态下输出的光电流值对所述电源模块输出的脉冲信号的高电平电压值进行调节。

8.一种二极管器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

形成第一电极；

形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上形成发光功能层，所述发光功能层包括至少一个发光功能子层，每个所述发光功能子层都包括层叠设置的光探测层和电致发光层，制造所述光探测层的材料与制造所述电致发光层的材料的能级势垒之差不超过1.5eV；

在所述功能层上形成电子传输层；

形成第二电极，其中，制造所述光探测层的材料包括铜铟硫体系化合物制造的量子点材料或铜铟硫体系化合物制造的纳米晶材料，

形成发光功能子层的步骤包括：

利用6-巯基己醇配体交换法形成铜铟硫体系化合物层，以获得所述光探测层；

在所述光探测层上设置油溶性量子点材料层，以获得所述电致发光层。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述铜铟硫体系化合物包括CuInS₂、CuInSe₂、CuInS_xSe_2-x、CuInZn_yS_2+y和CuIn_yGa_1-ySe₂中任意一种或者任意几种，其中，0＜x＜2,0＜y＜1。

10.根据权利要求8或9所述的制造方法，其特征在于，制造所述第一电极的材料包括透明电极材料，或者所述第一电极形成为纳米银线网；

制造所述第二电极的材料包括导电金属材料。