[发明专利]一种双T型栅及制作方法和应用

权利要求书

1.一种双T型栅，生长在具有介质钝化层的衬底上，其特征在于：包括栅足、栅根和栅帽，栅足和栅根形成第一级T型栅，栅根和栅帽形成第二级T型栅，栅帽悬空，栅足穿过介质钝化层生长在衬底上。

2.根据权利要求1所述的一种双T型栅，其特征在于：栅足的线宽为70～150nm。

3.根据权利要求1所述的一种双T型栅，其特征在于：栅帽与介质钝化层的距离为100～350nm。

4.根据权利要求1所述的一种双T型栅，其特征在于：栅帽为等腰梯形，栅根和栅足为方形。

5.根据权利要求1所述的一种双T型栅，其特征在于：介质钝化层的厚度为50～100nm。

6.根据权利要求1所述的一种双T型栅，其特征在于：第二级T型栅为Γ形。

7.一种双T型栅的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

1) 提供一衬底，于衬底上沉积一介质钝化层；

2) 于介质钝化层上涂布PMMA电子束光刻胶并烘烤，在PMMA电子束光刻胶上涂布I-Line负型光刻胶或DUV光刻胶并烘烤；

3) I-Line负型光刻胶或DUV光刻胶曝光与显影，用氧气等离子体处理，去除PMMA电子束光刻胶与I-Line负型光刻胶之间的互溶层或与DUV光刻胶之间的互溶层，形成栅帽的图形；

4) 电子束曝光及PMMA电子束光刻胶的显影，形成栅根的图形；

5) 介质钝化层的干法蚀刻层，形成栅足的图形，以露出衬底；

6) 氧气等离子体处理，扩展栅根的图形；

7) 湿法处理衬底后，再进行栅极金属蒸镀；

8) 蒸镀后将光刻胶剥离，最终形成双T型栅。

8.根据权利要求7所述的一种双T型栅的制作方法，其特征在于：在步骤1) 中，衬底为砷化镓/氮化镓外延片。

9.根据权利要求7所述的一种双T型栅的制作方法，其特征在于：在步骤1) 中，介质钝化层为氮化硅，沉积的氮化硅厚度为50～100nm。

10.根据权利要求7所述的一种双T型栅的制作方法，其特征在于：在步骤2) 中，PMMA电子束光刻胶厚度为100～350nm，I-Line或DUV光刻胶厚度为600～1200nm。

11.根据权利要求7所述的一种双T型栅的制作方法，其特征在于：在步骤3) 中，I-Line负型光刻胶或DUV光刻胶曝光使用的是步进式光学曝光机，使用的显影液为2.38%四甲基其氧化铵水溶液。

12.根据权利要求7所述的一种双T型栅的制作方法，其特征在于：在步骤4) 中，PMMA电子束光刻胶使用的显影液为邻二甲苯。

13.根据权利要求7所述的一种双T型栅的制作方法，其特征在于：在步骤5) 中，栅足的图形宽度为70～150nm。

14.根据权利要求7所述的一种双T型栅的制作方法，其特征在于：在步骤7) 中，蒸镀金属的组成为Ti/Pt/Au, 总高度为400nm-700nm。

15.一种根据权利要求1所述的双T型栅的应用，其特征在于：应用在HEMT器件上。