[发明专利]量子点发光层、量子点发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810833743.5 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109037464B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 周青超;杨盛际;陈小川 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 杨广宇 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供磁性量子点和磁性阵列基板；
在所述磁性阵列基板的磁力作用下，使分散于溶剂中的所述磁性量子点吸附在所述溶剂中的衬底上；
除去所述溶剂，在所述衬底上形成阵列化的量子点发光层。
2.根据权利要求1所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述在所述磁性阵列基板的磁力作用下，使分散于溶剂中的所述磁性量子点吸附在所述溶剂中的衬底上，包括：
提供反应容器，将所述溶剂和所述衬底置于所述反应容器中；
向所述反应容器中滴加所述磁性量子点，所述磁性量子点分散于所述溶剂中，随后在所述磁性阵列基板的磁力作用下被吸附在所述衬底上。
3.根据权利要求2所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述磁性阵列基板相对于所述衬底固定。
4.根据权利要求2所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，通过控制所述磁性量子点的滴加量，来控制所述量子点发光层的厚度。
5.根据权利要求1-4任一项所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述磁性量子点包括：磁性纳米材料、以及与所述磁性纳米材料复合的量子点。
6.根据权利要求5所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述磁性纳米材料为四氧化三铁；
所述量子点包括：硒化镉类的II-VI族量子点、磷化铟类的III-V族量子点、钙钛矿量子点、或者碳量子点。
7.根据权利要求5所述的量子点发光层的制备方法，其特征在于，所述溶剂为醇类溶剂。
8.一种量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层通过权利要求1-7任一项所述的方法制备得到。
9.一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括权利要求8所述的量子点发光层。
10.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供衬底；
按照权利要求1-7任一项所述的方法，在所述衬底上形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上形成其他功能层。
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