[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810831578.X | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109216514A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/26;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维成核层 氮化镓层 外延片 氮化 铝层 源层 氮化镓基发光二极管 本征氮化镓层 叠层结构 缓冲层 恢复层 衬底 二维 半导体技术领域 空穴 内量子效率 复合发光 晶格失配 依次层叠 有效缓解 蓝宝石 氮化镓 制作 配合 优化 | ||
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、三维成核层、二维恢复层、本征氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述三维成核层、所述二维恢复层、所述本征氮化镓层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述三维成核层包括至少一个叠层结构，所述叠层结构包括氮化镓层和设置在所述氮化镓层上的氮化钪铝层。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述氮化钪铝层为ScbAl1-bN层，0.15＜b＜0.65。
3.根据权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述叠层结构的厚度为50nm～500nm。
4.根据权利要求3所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述氮化镓层的厚度为所述氮化钪铝层的厚度为2倍～15倍。
5.根据权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述叠层结构的数量为M个，1≤M≤5且M为整数。
6.根据权利要求5所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述缓冲层的厚度为250nm～500nm。
7.一种氮化镓基发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、三维成核层、二维恢复层、本征氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；
其中，所述三维成核层包括至少一个叠层结构，所述叠层结构包括氮化镓层和设置在所述氮化镓层上的氮化钪铝层。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述氮化钪铝层的生长条件与所述氮化镓层的生长条件相同，所述生长条件包括生长温度和生长压力。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述三维成核层的生长温度为1000℃～1040℃。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述三维成核层的生长压力为400torr～600torr。
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