[发明专利]一种用于CMOS PA的自适应偏置电路有效

专利信息
申请号: 201810828346.9 申请日: 2018-07-25
公开(公告)号: CN109150117B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 艾君;杨利;郑金汪;白晓鹏;鲍东山 申请(专利权)人: 北京新岸线移动通信技术有限公司
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32;H03F3/193;H03F3/21
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 cmos pa 自适应 偏置 电路
【权利要求书】:

1.一种用于CMOS PA的自适应偏置电路,其特征在于,包括PMOS管或NMOS管、分压电阻R1与R2、负载电阻R3、反馈电容C2以及滤波电路;

在PMOS管/NMOS管与负载电阻R3的连接处得到直流电位Vg,为功率放大器PA提供偏置;经过反馈电容C2耦合进入偏置电路的射频输入信号作用于PMOS管/NMOS管,使输出电压Vg随着射频输入信号的增大被上拉或下拉;输出电压Vg经过滤波电路后输出进入功率放大器PA;

当所述偏置电路包括PMOS管时,PMOS管的源极与体端相连并且与负载电阻R3的一端相连,连接之处设为G点;负载电阻R3的另一端与A点连接;PMOS管的漏极接地;通过在A点提供一个直流电压,然后经过电阻R1与R2构成电阻分压从而给PMOS管的栅极提供一个直流偏置,G点的输出电压Vg经过滤波电路RC,然后输出至功率放大器PA的输入端,得到射频输出信号RFout;并且,在射频输入信号和PMOS管的栅极之间设置电容C2,C2连接PMOS管的栅极的一端设置在分压电阻R1和R2之间;或者

当所述偏置电路包括NMOS管时,NMOS管的漏极与体端相连并且与负载电阻R3的一端相连,连接之处设为G点;负载电阻R3的另一端与A点连接;NMOS管的源极接地;通过在A点提供一个直流电压,然后经过电阻R1与R2构成电阻分压从而给NMOS管的栅极提供一个直流偏置,G点的电压经过滤波网络RC,然后输出至功率放大器PA的输入端,得到射频输出信号RFout;并且,在射频输入信号和NMOS管的栅极之间设置电容C2,C2连接NMOS管的栅极的一端设置在分压电阻R1和R2之间。

2.如权利要求1所述的自适应偏置电路,其特征在于,所述滤波电路是由L型RC或者π型CRC组成的滤波网络,用于滤除高阶谐波。

3.如权利要求1所述的自适应偏置电路,其特征在于,通过调节分压电阻R1与R2,改变PMOS管栅极偏置电压,当PMOS管栅极偏置电压越大,则G点的输出电压Vg随射频信号功率的增加而上升的越晚。

4.如权利要求1所述的自适应偏置电路,其特征在于,通过调节分压电阻R1与R2,可以改变NMOS管栅极偏置电压,当NMOS管栅极偏置电压越小,则G点电压Vg随射频信号功率的增加而下降的越晚。

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