[发明专利]存储装置及其操作方法及发出命令的方法

说明书

一种减小写入延迟的操作存储装置的方法。所述存储装置判断是否支持写入数据支持(WDS)，在支持所述写入数据支持时提取选择性地包括即时写入标志的写入命令，响应于所提取的写入命令来更新关于控制器存储器缓冲器(CMB)的地址映射表而不进行主机直接存储器存取(HDMA)操作，并产生与所述写入命令对应的写入命令完成消息。也提供一种存储装置及发出命令的方法。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2017年12月5日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0166192号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。

技术领域

根据本公开的实施例的方法及设备涉及一种存储装置，且更具体来说，涉及一种减小写入完成延迟的操作存储装置的方法以及一种由主机发出命令的方法。

背景技术

随着制造半导体的技术的发展，与存储装置进行通信的主机(例如，计算机、智能电话、智能平板(smart pad)等)的运行速度正在提高。另外，主机及存储装置中使用的内容的容量正在增大。因此，对性能得到改善的存储装置的需求持续增加。

发明内容

本公开实施例的各个方面提供一种减小写入完成延迟的操作存储装置的方法以及一种由主机发出命令的方法。

根据实施例的一方面，提供一种操作存储装置的方法，所述方法包括：接收由主机发出的写入命令；响应于所述写入命令来更新关于所述存储装置的控制器存储器缓冲器(controller memory buffer，CMB)的地址映射表；由所述控制器存储器缓冲器执行产生与所述写入命令对应的写入命令完成消息，而不执行主机直接存储器存取(host directmemory access，HDMA)操作；以及将所述写入命令完成消息传送到所述主机。

根据实施例的一方面，提供一种操作存储装置的方法，所述方法包括：判断是否支持由主机提供的写入命令的写入数据支持(WDS)；响应于判断出支持所述写入数据支持，由所述存储装置的控制器存储器缓冲器(CMB)执行产生与由所述主机发出的所述写入命令对应的写入命令完成消息，而不执行主机直接存储器存取(HDMA)操作，且响应于判断出不支持所述写入数据支持，在响应于由所述主机发出的所述写入命令而在所述控制器存储器缓冲器中执行所述主机直接存储器存取操作之后产生写入命令完成消息；以及将所述写入命令完成消息传送到所述主机。

根据实施例的一方面，提供一种由主机执行的发出命令的方法，所述方法包括：向存储装置发出包括写入数据支持(WDS)的写入命令；以及接收与所述写入命令对应的写入命令完成，其中所述写入数据支持是一种基于对数据在所述存储装置的控制器存储器缓冲器(CMB)中的地址进行的操纵来存储所述数据的存储操作。

根据实施例的一方面，提供一种存储装置，所述存储装置包括：非易失性存储器；以及控制器，被配置成控制所述非易失性存储器，其中所述控制器包括控制器存储器缓冲器(CMB)地址交换模块，所述控制器存储器缓冲器地址交换模块被配置成响应于由主机提供的包括写入数据支持(WDS)的写入命令，利用所述控制器存储器缓冲器中的自由缓冲器区域来更新关于所述控制器存储器缓冲器的地址映射表。

附图说明

通过结合附图阅读以下详细说明，将更清楚地理解本公开的实施例。

图1是示例性地示出根据实施例的主机系统的图；

图2是示出根据实施例的处理命令的队列接口方法的图；

图3及图4A至图4C是示出在图1所示主机系统中执行的第一实例的写入操作的图；

图5、图6、图7及图8A至图8C是示出在图1所示主机系统中执行的第二实例的写入操作的图；

图9是示出根据实施例的控制器存储器缓冲器大小的图；