[发明专利]一种光电材料专用CdS薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810826713.1 申请日: 2018-07-25
公开(公告)号: CN108949834A 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 刘菊花;马俊杰;朱东东 申请(专利权)人: 佛山腾鲤新能源科技有限公司
主分类号: C12P3/00 分类号: C12P3/00;C12P19/04;H01L31/0296;C12R1/01
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528500 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 光电材料 混合溶液 恒温静置 制备 硫代硫酸钠溶液 光电转化效率 发酵培养基 氯化铬溶液 培养基表面 斜面培养基 新能源材料 充分混合 缓慢滴加 木醋杆菌 振荡培养 种子液 滴加 夹取 热压 薄膜 接种
【权利要求书】:

1.一种光电材料专用CdS薄膜的制备方法,其特征在于具体制备步骤为:

(1)将氯化铬溶液和硫代硫酸钠溶液按质量比为1:1~1:3搅拌混合,得混合溶液;

(2)将木醋杆菌接种至斜面培养基,振荡培养,得种子;

(3)按重量份数计,依次取10~20份种子,60~80份混合溶液,200~300份发酵培养基,先将种子和发酵培养基充分混合均匀后,再缓慢滴加混合溶液,待混合溶液滴加完毕后,继续恒温静置培养10~15天;

(4)待恒温静置培养结束,夹取培养基表面薄膜,经水洗,干燥后,热压,即得光电材料专用CdS薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种光电材料专用CdS薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述氯化铬溶液为质量分数为8~10%的氯化铬溶液。

3.根据权利要求1所述的一种光电材料专用CdS薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述硫代硫酸钠溶液为质量分数为4~6%的硫代硫酸钠溶液。

4.根据权利要求1所述的一种光电材料专用CdS薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述振荡培养为:于温度为25~30℃,摇床转速为150~200rpm条件下,振荡培养16~24h。

5.根据权利要求1所述的一种光电材料专用CdS薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述斜面培养基是由以下重量份数的原料配制而成:4~6份葡萄糖,1~3份蛋白胨,0.3~0.5份牛肉膏,2~4份琼脂,0.2~0.4份柠檬酸,100~150份水。

6.根据权利要求1所述的一种光电材料专用CdS薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述发酵培养基是由以下重量份数的原料配制而成:6~8份葡萄糖,0.4~0.6份蛋白胨,0.2~0.4份柠檬酸,0.1~0.2份磷酸二氢钾,0.2~0.3份磷酸氢二钾,100~120份水。

7.根据权利要求1所述的一种光电材料专用CdS薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述缓慢滴加为:以4~6mL/min速率进行滴加。

8.根据权利要求1所述的一种光电材料专用CdS薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(4)所述热压为:于温度为200~220℃,压力为10~20MPa条件下,热压10~20min。

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