[发明专利]掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号: | 201810819376.3 | 申请日: | 2018-07-24 | 
| 公开(公告)号: | CN108761999A | 公开(公告)日: | 2018-11-06 | 
| 发明(设计)人: | 郭永林;刘庭良;张锴;张毅 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 | 
| 主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76;G03F1/58 | 
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 | 
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 掩膜板 透过率 制作 显示装置 阵列基板 透光 透光基 技术制作 显示器件 依次排列 坡度角 中膜层 膜层 | ||
1.一种掩膜板,其特征在于,包括透光基底和设置在所述透光基底上的至少三种不同透过率的部分透光图形,所述至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述至少三种不同透过率的部分透光图形包括第一部分透光图形、第二部分透光图形和第三部分透光图形,所述第一部分透光图形的透过率大于所述第二部分透光图形的透过率,所述第二部分透光图形的透过率大于所述第三部分透光图形的透过率;
所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形中的至少一个在所述透光基底上限定出开口区,且所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形沿靠近所述开口区至远离所述开口区的方向依次排列。
3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形的材料相同,且所述第一部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度小于所述第二部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度,所述第二部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度小于所述第三部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度。
4.根据权利要求3所述的掩膜板,其特征在于,所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形的制备材料均包括氧化铬。
5.根据权利要求3或4所述的掩膜板,其特征在于,所述第三部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度为所述第一部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度与所述第二部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度的和。
6.根据权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,所述第一部分透光图形的透过率在40%~60%之间,所述第二部分透光图形的透过率在3%~7%之间,所述第三部分透光图形的透过率为所述第一部分透光图形的透过率与所述第二部分透光图形的透过率的乘积。
7.一种掩膜板的制作方法,其特征在于,用于制作如权利要求1~6任一项所述的掩膜板,所述制作方法包括:
在透光基底上形成至少三种不同透过率的部分透光图形,所述至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列。
8.根据权利要求7所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,当所述至少三种不同透过率的部分透光图形包括第一部分透光图形、第二部分透光图形和第三部分透光图形时,所述在透光基底上形成至少三种不同透过率的部分透光图形的步骤具体包括:
在所述透光基底上沉积部分透光材料;
对所述部分透光材料进行图案化处理,获得所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形,所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形按照厚度大小依次排列。
9.根据权利要求7所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,当所述至少三种不同透过率的部分透光图形包括第一部分透光图形、第二部分透光图形和第三部分透光图形时,所述在透光基底上形成至少三种不同透过率的部分透光图形的步骤具体包括:
在所述透光基底上沉积第一部分透光材料;
对所述第一部分透光材料进行构图,形成第二子图形;
沉积第二部分透光材料,所述第二部分透光材料覆盖所述第二子图形和所述透光基底中未被所述第二子图形覆盖的部分;
对所述第二部分透光材料进行构图,形成第一子图形和第三子图形,其中所述第一子图形位于所述透光基底的表面,且与所述第二子图形邻接,所述第三子图形位于所述第二子图形背向所述透光基底的一面,且所述第三子图形在所述透光基底上的正投影与所述第一子图形在所述透光基底上的正投影之间具有预设距离;
所述第一部分透光图形包括第一子图形,所述第二部分透光图形包括所述第二子图形中未被所述第三子图形覆盖的部分;所述第三部分透光图形包括所述第三子图形和所述第二子图形中被所述第三子图形覆盖的部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810819376.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:掩膜版张网框架及掩膜版张网工艺
- 下一篇:一种3D玻璃曝光菲林制作工艺
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





