[发明专利]一种服务器上发光二极体的控制电路及服务器有效

专利信息
申请号: 201810818656.2 申请日: 2018-07-24
公开(公告)号: CN109121246B 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 许溢允 申请(专利权)人: 苏州浪潮智能科技有限公司
主分类号: H05B45/10 分类号: H05B45/10
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 罗满
地址: 215100 江苏省苏州市吴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 服务器 发光 二极体 控制电路
【权利要求书】:

1.一种服务器上发光二极体的控制电路,其特征在于,包括控制晶片、开关管及用于在所述控制晶片上电时,将所述开关管的控制端输入的高电平拉低成低电平的电平下拉电路,其中:

所述控制晶片的控制端与所述开关管的控制端连接,所述开关管的第一端与发光二极体的阴极连接,所述发光二极体的阳极与直流电源的输出端连接,所述开关管的第二端接地;

所述控制晶片用于在自身上电完成后,控制所述电平下拉电路停止拉低所述开关管的控制端后期输入的高电平,以恢复所述发光二极体的正常控制;

所述电平下拉电路包括开关和下拉电阻,其中:

所述开关的第一端分别与所述控制晶片的控制端和所述开关管的控制端连接,所述开关的第二端与所述下拉电阻的第一端连接,所述下拉电阻的第二端接地;

则所述控制晶片具体用于在自身断电前控制所述开关闭合,并在自身上电完成后控制所述开关断开,以恢复所述发光二极体的正常控制。

2.如权利要求1所述的服务器上发光二极体的控制电路,其特征在于,所述开关管具体为NMOS管,所述NMOS管的栅极作为所述开关管的控制端,所述NMOS管的漏极作为所述开关管的第一端,所述NMOS管的源极作为所述开关管的第二端;

则所述控制晶片具体用于依据所属服务器系统的状态,通过电压驱动方式相应控制所述NMOS管的开关状态,以相应控制所述发光二极体的发光状态。

3.如权利要求1所述的服务器上发光二极体的控制电路,其特征在于,所述开关管具体为双极型晶体管,所述双极型晶体管的栅极或基极作为所述开关管的控制端,所述双极型晶体管的漏极或集电极作为所述开关管的第一端,所述双极型晶体管的源极或发射极作为所述开关管的第二端;

则所述控制晶片具体用于依据所属服务器系统的状态,通过电流驱动方式相应控制所述双极型晶体管的开关状态,以相应控制所述发光二极体的发光状态。

4.如权利要求3所述的服务器上发光二极体的控制电路,其特征在于,所述控制晶片还用于通过调整输入至所述双极型晶体管的驱动电流的大小,调节所述发光二极体的发光亮度,以利用一个发光二极体的不同亮度一一对应表征所属服务器系统的不同状态。

5.如权利要求4所述的服务器上发光二极体的控制电路,其特征在于,所述双极型晶体管具体为绝缘栅双极型晶体管IGBT。

6.一种服务器,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的服务器上发光二极体的控制电路。

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