[发明专利]隔离膜、顶发射光电器件及其制造方法和应用

权利要求书

1.一种隔离膜，其特征在于，所述隔离膜包括第一氧化物膜，以及自所述第一氧化物膜一表面向外层叠叠设的金属膜、第二氧化物膜、第三氧化物膜。

2.如权利要求1所述的隔离膜，其特征在于，所述第一氧化物膜和/或所述第二氧化物膜为氧化钛膜、氧化锆膜、氧化锌膜中的任一种；和/或

所述金属膜为银膜、铝膜、镁膜、铜膜中的任一种；和/或

所述第三氧化物膜为二氧化硅膜、氧化铝膜中的任一种。

3.如权利要求1或2所述的隔离膜，其特征在于，所述第一氧化物膜和/或所述第二氧化物膜的厚度为10～30nm；和/或

所述金属膜的厚度为5～15nm；和/或

所述第三氧化物膜的厚度为100～200nm。

4.一种顶发射光电器件，包括顶电极和叠设于所述顶电极表面的封装层，其特征在于，所述封装层为复合膜层，所述复合膜层包括自所述顶电极表面向外层叠叠设的第一氧化物膜、金属膜、第二氧化物膜、第三氧化物膜。

5.如权利要求4所述的顶发射光电器件，其特征在于，所述第一氧化物膜的折射率大于所述顶电极的折射率；和/或

所述金属膜对紫外光的反射率在90％以上；和/或

所述第二氧化物膜的折射率大于镁银合金的折射率。

6.如权利要求4或5所述的顶发射光电器件，其特征在于，所述第一氧化物膜和/或所述第二氧化物膜为氧化钛膜、氧化锆膜、氧化锌膜中的任一种；和/或

所述金属膜为银膜、铝膜、镁膜、铜膜中的任一种；和/或

所述第三氧化物膜为二氧化硅膜、氧化铝膜中的任一种。

7.如权利要求4或5所述的顶发射光电器件，其特征在于，所述第一氧化物膜和/或所述第二氧化物膜的厚度为10～30nm；和/或

所述金属膜的厚度为5～15nm；和/或

所述第三氧化物膜的厚度为100～200nm。

8.如权利要求4或5所述的顶发射光电器件，其特征在于，所述顶发射光电器件为顶发射量子点发光二极管或顶发射有机发光二极管。

9.一种顶发射光电器件的制造方法，包括封装层的沉积步骤，其特征在于，所述封装层的沉积步骤包括：

在获得的顶电极一表面沉积形成第一氧化物膜；

在所述第一氧化物膜表面沉积形成金属膜；

在所述金属膜表面沉积形成第二氧化物膜；

在所述第二氧化物膜表面沉积形成第三氧化物膜，获得沉积于所述顶电极表面的封装层。

10.如权利要求9所述的顶发射光电器件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化物膜的折射率大于所述顶电极的折射率；和/或

所述金属膜对紫外光的反射率在90％以上；和/或

所述第二氧化物膜的折射率大于顶电极的折射率。

11.如权利要求9所述的顶发射光电器件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化物膜和/或所述第二氧化物膜为氧化钛膜、氧化锆膜、氧化锌膜中的任一种；和/或

所述金属膜为银膜、铝膜、镁膜、铜膜中的任一种；和/或

所述第三氧化物膜为二氧化硅膜、氧化铝膜中的任一种。

12.如权利要求9所述的顶发射光电器件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化物膜和/或所述第二氧化物膜的厚度为10～30nm；和/或

所述金属膜的厚度为5～15nm；和/或

所述第三氧化物膜的厚度为100～200nm。

13.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备中包括如权利要求4～8任一项所述的顶发射光电器件。

14.一种照明设备，其特征在于，所述照明设备中包括如权利要求4～8任一项所述的顶发射光电器件。