[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201810816583.3 | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109065727A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 齐俊杰;范伟利;杨宗林;刘鑫鑫;张振云 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 衬底 太阳能电池 吸光层 制备 电子传输层 钙钛矿薄膜 前驱体溶液 介孔 清洗 太阳能电池技术 二甲基甲酰胺 二甲基亚砜 混合溶液中 反溶剂法 透明电极 无水乙酸 转换效率 碘化铅 碳电极 甲胺 旋涂 加热 溶解 | ||
1.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，钙钛矿太阳能电池由衬底、透明电极、电子传输层、介孔层、钙钛矿吸光层、碳电极六部分组成，具体制备步骤如下：
步骤S1、将碘化铅和甲胺碘均匀溶解在二甲基亚砜和二甲基甲酰胺的混合溶液中，加入无水乙酸铵，在一定温度下进行搅拌至所述无水乙酸铵完全溶解，得到钙钛矿前驱体溶液，冷却至室温备用；
步骤S2、提供一具有透明电极的衬底，对所述衬底进行清洗；
步骤S3、在清洗后的所述衬底上形成电子传输层；
步骤S4、在形成所述电子传输层的所述衬底上，形成介孔层；
步骤S5、使用一步反溶剂法将所述钙钛矿前驱体溶液旋涂在形成有所述介孔层的所述衬底上，形成钙钛矿薄膜，对所述钙钛矿薄膜加热，形成钙钛矿吸光层；
步骤S6、在形成有所述钙钛矿吸光层的所述衬底上，形成碳电极。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述碘化铅和所述甲胺碘的摩尔比为1:1，所述混合溶液中所述二甲基甲酰胺与所述二甲基亚砜的体积比为9:1。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述无水乙酸铵与所述碘化铅的摩尔比为0.04％～0.1％。
4.根据权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述无水乙酸铵与所述碘化铅的摩尔比为0.08％。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S1中，加入所述无水乙酸铵后，在75℃下搅拌2h至所述无水乙酸铵完全溶解。
6.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S5中，将所述钙钛矿薄膜加热至100℃～105℃，加热时间为30min。
7.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的材质为二氧化钛，所述电子传输层的厚度为20nm～50nm。
8.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述介孔层的材质为介孔二氧化钛，所述介孔层的厚度为400nm～600nm。
9.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿吸光层的厚度为300nm～500nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学，未经北京科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810816583.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
