[发明专利]一种半桥电路结构在审
| 申请号: | 201810816376.8 | 申请日: | 2018-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN109039053A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
| 发明(设计)人: | 杜娟花;于健涛 | 申请(专利权)人: | 南京雨花智高科教工作坊 |
| 主分类号: | H02M1/44 | 分类号: | H02M1/44 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 210000 江苏省南京市雨*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 能量回授 初级谐振电路 变压器漏感 半桥电路 谐振电感 电路 电网 次级二极管 尖峰 电路领域 反向恢复 供给能量 能量传输 通用性强 整机效率 组合钳 回授 申请 整机 存储 储存 | ||
1.一种半桥电路结构,其特征在于,所述半桥电路结构包括:
作为能量传输回路为负载供给能量的初级谐振电路;
与所述初级谐振电路连接,将谐振电感存储的能量回授到电网的谐振电感能量回授电路;以及
与所述初级谐振电路连接,将变压器漏感储存的能量回授到电网的变压器漏感能量回授电路。
2.如权利要求1 所述的半桥电路结构,其特征在于,所述初级谐振电路包第一MOS 管Q1、第二MOS 管Q2、电感L1、第一变压器T1A 和第一电容C1 ;
第一MOS 管Q1 的漏极与电压输出端的正极连接,源极与电感L1 的输入端连接;
第二MOS 管Q2 的源极与电压输出端的负极连接,漏极与电感L1 的输入端连接;
第一变压器T1A 的n1 匝的一端与电感L1 输出端连接,另一端与第一电容C1 连接,第一电容C1 另一端连接电压输出端的负极。
3.如权利要求1 所述的半桥电路结构,其特征在于,所述谐振电感能量回授电路包括第一电阻R1、第三二极管D3、第四二极管D4、第一MOS 管Q1 和第二MOS 管Q2 ;第三二极管D3 与第四二极管D4 同相串联,连接在电压输入端的正负极之间;
第一电阻R1 一端与电感L1 的输出端连接,另一端连接在第三二极管D3 与第四二极管D4 的连接处;
第四二极管D4、第一电阻R1、电感L1 和第一MOS 管Q1 构成正半周泄放回路;
第三二极管D3、第一电阻R1、电感L1 和第二MOS 管Q2 构成负半周泄放回路。
4.如权利要求1 所述的半桥电路结构,其特征在于,所述变压器漏感能量回授电路包括第二变压器T1B、第五二极管D5、第六二极管D6、第一MOS 管Q1 和第二MOS 管Q2 ;第五二极管D5 与第六二极管D6 同相串联,连接在电压输入端的正负极之间;
第二变压器T1B 一端与第一MOS 管Q1 的源极连接,另一端连接在第五二极管D5 与第六二极管D6 的连接处;
第六二极管D6、第二变压器T1B、第一MOS 管Q1 构成正半周泄放回路;第三二极管D3、第二变压器T1B、第二MOS 管Q2 构成负半周泄放回路。
5.如权利要求2 所述的半桥电路结构,其特征在于,所述半桥电路结构还包括与所述初级谐振电路连接的零电压开关电路。
6.如权利要求5 所述的半桥电路结构,其特征在于,所述零电压开关电路包括第三电容C3、第四电容C4 和电感L1 ;第三电容C3 接在第一MOS 管Q1 的源极与漏极间,第四电容C4 接在第二MOS 管Q2 的源极与漏极间。
7.如权利要求2 所述的半桥电路结构,其特征在于,所述半桥电路结构还包括与所述初级谐振电路连接的输出整流滤波电路。
8.如权利要求7 所述的半桥电路结构,其特征在于,所述输出整流滤波电路包括第一二极管D1、第二二极管D2 和极性电容C2 ;第一二极管D1 连接在第一变压器T1A 的n2 匝的一端与电压输出端的正极之间,第二二极管D2 连接在第一变压器T1A 的n2 匝的另一端与电压输出端的正极之间,极性电容C2 连接在电压输出端的正负极之间。
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