[发明专利]硅晶片的生成方法

说明书

提供硅晶片的生成方法，能够从硅锭高效地生成硅晶片。硅晶片的生成方法包含如下的工序：块锭生成工序，对硅锭(2)进行切断而生成块锭(6)；平坦化工序，对块锭(6)的端面(6a)进行磨削而进行平坦化；分离层形成工序，将对于硅具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点定位在块锭(6)的距离端面(6a)相当于要生成的晶片(70)的厚度的深度的内部，对块锭(6)照射激光光线(LB)而形成分离层(40)；以及晶片生成工序，从分离层(40)分离出要生成的硅晶片(70)。

技术领域

本发明涉及从硅锭生成硅晶片的硅晶片的生成方法。

背景技术

在以硅为原材料的晶片的正面上层叠功能层，在该功能层上通过多条分割预定线进行划分而形成IC、LSI等器件。通过切割装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而将形成有器件的晶片分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片被应用于移动电话或个人计算机等电子设备中。

形成器件的晶片是通过线切割机、内圆切割机等切割机对硅锭进行切片而生成的(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开平6-91633号公报

然而，当通过线切割机、内圆切割机等切割机对硅锭进行切片而生成硅晶片时，由于切割量比较大，硅锭的大部分(60％～70％左右)被舍弃，所以存在生产性较差的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供能够从硅锭高效地生成硅晶片的硅晶片的生成方法。

根据本发明，提供硅晶片的生成方法，从硅锭生成硅晶片，其中，该硅晶片的生成方法具有如下的工序：块锭生成工序，对硅锭进行切断而生成块锭；平坦化工序，对块锭的端面进行磨削而进行平坦化；分离层形成工序，将对于硅具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在块锭的距离端面相当于要生成的晶片的厚度的深度的内部，对块锭照射激光光线而形成分离层；以及晶片生成工序，在实施了分离层形成工序之后，从该分离层分离出要生成的硅晶片。

优选在该块锭生成工序之前实施如下的晶体取向形成工序：在硅锭上形成表示晶体取向的定向平面或凹口。优选还具有如下的制造履历形成工序：将对于硅具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在要生成的硅晶片的未形成器件的区域的内部，对要生成的硅晶片照射激光光线而形成制造履历。优选在该制造履历形成工序中形成的制造履历包含块锭的批号、所生成的晶片的顺序、制造年月日、制造工厂以及有助于生成的机型中的任意信息。

根据本发明的硅晶片的生成方法，能够使硅锭的切割量减少，因此能够从硅锭高效地生成硅晶片。

附图说明

图1是硅锭的立体图。

图2是实施了晶体取向形成工序的硅锭的立体图。

图3是实施了块锭生成工序的硅锭的立体图。

图4是示出正在实施树脂层包覆工序的状态的立体图。

图5是示出向磨削装置的卡盘工作台载置块锭的状态的立体图。

图6是示出正在实施平坦化工序的状态的立体图。

图7是示出正在实施分离层形成工序的状态的立体图。

图8是形成有分离层的块锭的上部放大侧视图。

图9是示出正在实施制造履历形成工序的状态的立体图。

图10是形成有分离层和制造履历的块锭的上部放大侧视图。

图11是示出液槽位于分离装置的卡盘工作台的上方的状态的立体图。

图12是示出正在实施晶片生成工序的状态的剖视图。

图13是示出通过分离装置从块锭分离出硅晶片的状态的立体图。