[发明专利]一种基于肖特基二极管的毫米波线性化方法

说明书

本发明涉及一种基于肖特基二极管的毫米波线性化方法，包括：制备GaN基微波功率器件，测试得到GaN基微波功率器件的输入阻抗；制备肖特基二极管，测试得到肖特基二极管的输出阻抗；将肖特基二极管的输出阻抗与GaN基微波功率器件的输入阻抗共轭匹配；将GaN基微波功率器件与肖特基二极管通过键合互连。本发明实施例，减小了器件空间面积，可以提升线性度补偿并增强可调性，在高频和宽带环境下都可以发挥最佳效应，进一步提高器件集成度和工作速度。

技术领域

本发明属于射频技术领域，具体涉及一种基于肖特基二极管的毫米波线性化方法。

背景技术

GaN材料可以形成AlGaN/GaN异质结构，这种异质结构不仅在室温下能获得很高的电子迁移率，以及极高的峰值电子速度和饱和电子速度，而且可以获得比第二代化合物半导体异质结更高的二维电子气浓度。这些优势使得AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在微波毫米波频段的大功率、高效率、宽带宽、低噪声性能方面显著超过了GaAs基HEMT和INP基HEMT。

毫米波一般是指频率为30GHz～300GHz的电磁波，毫米波的频带宽可以满足大容量通信、高速数据传输等业务需求；波长短，有利于实现设备或系统的小型化和轻量化；穿透性强，能成为地球电磁波频谱的宇宙窗口。所以在雷达、通信、导航、探测和电子对抗等领域毫米波都占据了重要地位。

毫米波放大器作为整个毫米波通信系统的核心模块，其相关性能严格限制着通信系统的性能和通信质量。放大器更强的功率输出性能可以保证该系统的抗干扰能力更强、覆盖范围更广，而毫米波放大器的线性度则对通信质量有着直接的影响。随着现代模拟与数字通信的发展，越来越复杂的调制方式被广泛提出和采用(如正交振幅调制以及正交频分复用)，采用这些复杂的调制技术在有效提高频谱利用率的同时也会造成更高的峰均比(Peak-to-Average Power Ratio：PAPR)，这也对放大器的线性提出了越来越高的要求。

最早出现的线性化技术是功率回退法，但是由于其改善度小，不够精确等原因，现在已经很少使用。紧随功率回退法出现的是前馈法和负反馈法，这两种方法均是由贝尔实验室提出的，经过多年的研究发展，这两种方法已经变得十分成熟，线性度改善较高，精确度也比较好，但是其特有的结构决定了其具有频率低、复杂度高、效率低等缺点。

另外目前国内外抑制信号二、三次谐波绝大多数采用的方式就是在功放后加开关滤波器。但该技术就目前而言仅在低频、窄带信号中能够有效开展，在高频和宽带环境很难发挥出最佳效应。

因此，如何解决现有线性化技术结构复杂，空间面积大，线性度补偿较低，可调性差，并使其在高频和宽带环境发挥出最佳效应的问题就显得尤为重要。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于肖特基二极管的毫米波线性化方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明实施例提供了一种基于肖特基二极管的毫米波线性化方法，包括：

步骤a、制备GaN基微波功率器件，测试得到所述GaN基微波功率器件的输入阻抗；

步骤b、制备肖特基二极管，测试得到所述肖特基二极管的输出阻抗；

步骤c、将所述肖特基二极管的输出阻抗与所述GaN基微波功率器件的输入阻抗共轭匹配；

步骤d、将所述GaN基微波功率器件与所述肖特基二极管通过键合互连。

在本发明的一个实施例中，步骤a包括：

步骤a1、刻蚀所述基片的台面至所述势垒层表面；

步骤a2、在刻蚀后的势垒层光刻源电极区和漏电极区，在所述源电极区和所述漏电极区蒸发欧姆金属分别形成源极和漏极；