[发明专利]一种升针方法及应用其的顶针升降装置有效
申请号: | 201810809116.8 | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN108962794B | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 刘建 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李坤 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 方法 应用 顶针 升降 装置 | ||
1.一种升针方法,用于通过顶针将支撑装置上的晶圆顶起,包括:
将驱动顶针上升的力调节到设定值,以减小顶针对晶圆的冲击;所述设定值为最小升针压力的1.1-1.2倍;
启动升针操作;
判断所述顶针是否升至预定高度,所述预定高度小于所述支撑装置周缘的高度;
如果是,执行将所述顶针由所述预定高度升至传输高度的步骤;
如果否,启动降针操作,然后返回执行启动升针操作的步骤,直至所述顶针升至预定高度。
2.如权利要求1所述的升针方法,在启动降针操作与返回执行启动升针操作的步骤之间还包括:
判断升针操作的次数是否达到阈值;
如果是,则对所述晶圆进行解吸附操作,然后返回执行启动升针操作的步骤;
如果否,则直接返回执行启动升针操作的步骤。
3.如权利要求1所述的升针方法,通过气缸驱动所述顶针上升或下降,驱动顶针上升的力等于所述气缸的进气压力;所述设定值小于80psi。
4.一种顶针升降装置,用于权利要求1所述升针方法,所述顶针升降装置包括:
力调节装置,用于调节驱动顶针上升的力;
位置检测装置,用于检测所述顶针是否升至预定高度;和
控制装置,与所述位置检测装置连接,用于根据所述位置检测装置的信号判断所述顶针是否升至预定高度,如果是,将所述顶针由所述预定高度升至传输高度;如果否,启动降针操作,然后返回执行启动升针操作,直至所述顶针升至预定高度。
5.如权利要求4所述的顶针升降装置,还包括驱动装置,用于驱动所述顶针升降;所述力调节装置与所述驱动装置连接。
6.如权利要求5所述的顶针升降装置,所述驱动装置包括:
气缸;
升针气路,向所述气缸供气以驱动所述顶针升起;和
降针气路,向所述气缸供气以驱动所述顶针下降;
所述力调节装置包括调压阀,所述调压阀连接在所述升针气路上,用于调节所述气缸的进气压力。
7.如权利要求4所述的顶针升降装置,所述位置检测装置包括第一检测部件和第二检测部件;二者的其中一个固定于顶针支撑架,另一个固定于静电卡盘,当顶针升至预定高度时,二者的其中一个接收到另一个发射或反射的信号。
8.如权利要求7所述的顶针升降装置,所述第一检测部件为激光发射器,所述第二检测部件为激光接收器;或者,所述第一检测部件为激光收发器,所述第二检测部件为激光反射器。
9.一种半导体加工设备,包括权利要求4至8任一项所述的顶针升降装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造