[发明专利]一种实现SoC芯片低压实时检测的系统及其检测方法

权利要求书

1.一种实现SoC芯片低压实时检测的系统，包括SoC芯片内部的模/数转换器和模/数转换控制器，其特征在于，所述系统还包括：

SoC芯片内部的电阻分压采样电路，用于对VBAT电压分压后输出VMID电压，所述VMID电压是VBAT电压的中间电压；

SoC芯片内部的中央处理器，所述中央处理器包括寄存器组，所述寄存器组包括多个与VBAT电压的不同电压档位分别一一对应的寄存器，所述中央处理器用于对各寄存器的值进行配置，还用于对所述模/数转换控制器进行控制，进而控制所述模/数转换器对VMID电压和VBG电压进行采集，所述VBG电压是SoC芯片内部的参考电压的模拟电压值；

片内电源管理模块的处理器，用于保存所述模/数转换器的采集结果，实时得到VBAT电压的电压值VBAT，并根据各寄存器的值对VBAT电压进行阶梯性监控，当VBAT电压大于/小于寄存器的配置值时，向所述中央处理器发起相应类型的中断。

2.如权利要求1所述的实现SoC芯片低压实时检测的系统，其特征在于，所述多个与VBAT电压的不同电压档位分别一一对应的寄存器是：VBAT电压过高值寄存器、VBAT电压过低值寄存器、以及VBAT电压保护值寄存器。

3.如权利要求1所述的实现SoC芯片低压实时检测的系统，其特征在于，所述寄存器组还包括多个与VDD电压的不同电压档位分别一一对应的寄存器，所述处理器还用于根据各寄存器的值对VDD电压进行阶梯性监控。

4.如权利要求3所述的实现SoC芯片低压实时检测的系统，其特征在于，所述多个与VDD电压的不同电压档位分别一一对应的寄存器是：VDD电压过高值寄存器、VDD电压过低值寄存器、以及VDD电压保护值寄存器。

5.如权利要求1所述的实现SoC芯片低压实时检测的系统，其特征在于，所述寄存器组还包括模拟电压值VBG实际值寄存器；

所述模/数转换器的一个输入引脚还连接SoC芯片四周的一个VPAD引脚，用于在CP阶段，对经所述VPAD引脚输入的1V模拟电压值和2V模拟电压值进行采集，并对VBG电压进行采集；

所述处理器还用于根据所述模/数转换器的采集结果，得到实际的模拟电压值VBG，之后所述中央处理器将所述模拟电压值VBG实际值寄存器的值配置为所述实际的模拟电压值VBG。

6.如权利要求1所述的实现SoC芯片低压实时检测的系统，其特征在于，所述寄存器组还包括：

电源管理模块采集模式寄存器，所述中央处理器通过对所述电源管理模块采集模式寄存器的值的配置，实现对所述片内电源管理模块采集模式为手动采集模式或自动采集模式的控制；

模/数转换器波特率寄存器，所述中央处理器通过对所述模/数转换器波特率寄存器的值的配置，实现对所述模/数转换器的采样频率的控制；

模/数转换器使能寄存器，所述中央处理器通过对所述模/数转换器使能寄存器的值的配置，实现对所述模/数转换器的工作与否的控制；

电源管理模块采样频率寄存器，所述中央处理器通过对所述电源管理模块采样频率寄存器的配置，实现对所述片内电源管理模块的采样频率的控制。

7.一种如权利要求1至6任一项所述的实现SoC芯片低压实时检测的系统的检测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

A1：中央处理器对寄存器组中与VBAT电压的不同电压档位分别一一对应的各寄存器的值进行配置；

A2：中央处理器对模/数转换控制器进行控制，进而控制模/数转换器对VBG电压和电阻分压采样电路分压输出的VMID电压进行采集，所述VBG电压是SoC芯片内部的参考电压的模拟电压值，所述VMID电压是VBAT电压的中间电压；

A3：处理器保存模/数转换器的采集结果，实时得到VBAT电压的电压值VBAT，并根据各寄存器的值对VBAT电压进行阶梯性监控，当VBAT电压大于/小于寄存器的配置值时，向所述中央处理器发起相应类型的中断。