[发明专利]氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201810801711.7 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN108962724A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 中山德行;西村英一郎;井藁正史 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12;H01L21/336;H01L29/786;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶质氧化物薄膜 氧化物烧结体 薄膜晶体管 载流子 氧化物半导体薄膜 方铁锰矿型结构 蚀刻 结晶质氧化物 载流子迁移率 半导体薄膜 非晶质状态 沟道层材料 光刻法技术 结晶质状态 退火处理 微细加工 原子数比 微细 结晶相 蚀刻性 铁锰矿 主结晶 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化物半导体薄膜，其是通过由铟和镓以及不可避免的杂质构成的氧化物烧结体来获得的结晶质氧化物半导体薄膜，其中，
所述氧化物烧结体是由方铁锰矿型结构的In2O3相与β-Ga2O3型结构的GaInO3相构成，或者是由方铁锰矿型结构的In2O3相与β-Ga2O3型结构的GaInO3相和(Ga,In)2O3相构成，
所述结晶质氧化物半导体薄膜中，镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计为0.10以上且0.15以下，结晶相仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成，载流子浓度为2.0×1017cm-3以下，载流子迁移率为15.0cm2V-1sec-1以上。
2.如权利要求1所述的氧化物半导体薄膜，其中，通过退火处理进行结晶化前的非晶质膜的结晶化温度为225℃以上。
3.一种薄膜晶体管，其是具有源极电极、漏极电极、栅极电极、沟道层和栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，所述沟道层由权利要求1或2所述的氧化物半导体薄膜构成。
4.一种显示装置，其中，其具有权利要求3所述的薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
