[发明专利]一种改善双重图形刻蚀芯模顶端圆角的工艺方法

权利要求书

1.一种改善双重图形刻蚀芯模顶端圆角的工艺方法，其特征在于，包括下列步骤：

在半导体衬底上形成芯模层，其包括第一芯模层和第二芯模层；

进行第一次芯模层细化处理；

去除所述第二芯模层；

进行第二次芯模层细化处理，使得第一芯模层顶部形貌在各向同性刻蚀作用下，保持垂直形貌；

进行后续的侧墙工艺和芯模去除工艺。

2.根据权利要求1所述的改善双重图形刻蚀芯模顶端圆角的工艺方法，其特征在于，所述第一芯模层和第二芯模层在芯模层细化处理时，对酸刻蚀液具有不同的刻蚀选择比。

3.根据权利要求1所述的改善双重图形刻蚀芯模顶端圆角的工艺方法，其特征在于，所述第一次芯模层细化处理中，所述第二芯模层刻蚀量小于所述第一芯模层。

4.根据权利要求1所述的改善双重图形刻蚀芯模顶端圆角的工艺方法，其特征在于，所述第一次芯模层细化处理中，所述第二芯模层不进行刻蚀，只针对所述第一芯模层进行刻蚀。

5.根据权利要求1所述的改善双重图形刻蚀芯模顶端圆角的工艺方法，其特征在于，所述侧墙工艺中，在侧墙生长和刻蚀工艺后，淀积的介质层为和所述侧墙工艺具有不同湿法刻蚀选择比的膜层。

6.根据权利要求5所述的改善双重图形刻蚀芯模顶端圆角的工艺方法，其特征在于，所述介质层采用正硅酸乙酯或高温氧化物沉积形成。

7.根据权利要求5所述的改善双重图形刻蚀芯模顶端圆角的工艺方法，其特征在于，所述侧墙工艺还包括化学机械研磨淀积的牺牲层的步骤，所述牺牲层和所述芯模层以及所述介质层具有不同研磨速率选择比。

8.根据权利要求7所述的改善双重图形刻蚀芯模顶端圆角的工艺方法，其特征在于，所述牺牲层包括氮化硅，高密度等离子体沉积氧化硅，及氮氧化硅中的一种或几种。

9.根据权利要求5所述的改善双重图形刻蚀芯模顶端圆角的工艺方法，其特征在于，所述去除第二芯模层和侧墙介质层采用湿法刻蚀工艺。

10.根据权利要求8所述的改善双重图形刻蚀芯模顶端圆角的工艺方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用介质层、芯模层和侧墙刻蚀选择比较高的化学药剂，包括稀氟氢酸或缓冲氧化物刻蚀液。