[发明专利]具有温度保护的用于对电感器进行放电的放电电路有效

专利信息
申请号: 201810800393.2 申请日: 2018-07-20
公开(公告)号: CN109285726B 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: S·布泽蒂;M·德米切利;D·拉涅里 申请(专利权)人: 马克西姆综合产品公司
主分类号: H01H47/22 分类号: H01H47/22;H01F13/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 张伟;王英
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 温度 保护 用于 电感器 进行 放电 电路
【权利要求书】:

1.一种用于对感性负载进行去磁的放电电路,所述放电电路包括:

第一开关,所述第一开关包括控制端子以及第一端子和第二端子,其中,所述第一端子连接到电压源;

第二开关,所述第二开关包括控制端子以及第一端子和第二端子,其中,所述第一开关的所述第二端子和所述第二开关的所述第二端子连接到所述感性负载;

第三开关,所述第三开关包括控制端子以及第一端子和第二端子,其中,所述第三开关的所述第一端子连接到所述第二开关的所述第一端子;

第一齐纳二极管,所述第一齐纳二极管包括阳极和阴极,所述阳极连接到所述第二开关的所述控制端子并且所述阴极连接到所述电压源;

第一温度感测电路,所述第一温度感测电路基于所述放电电路的至少一个部件的温度生成第一感测温度信号;以及

第一比较电路,所述第一比较电路接收第一参考温度信号和所述第一感测温度信号并且生成第一输出。

2.如权利要求1所述的放电电路,其中:

所述第一开关包括双扩散金属氧化物半导体(DMOS)场效应开关(FET);并且

所述第二开关和所述第三开关包括DMOS FET。

3.如权利要求1所述的放电电路,其中:所述放电电路被实施为单个集成电路,并且所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关中的每一个都包括晶体管。

4.如权利要求1所述的放电电路,其中:当所述第一感测温度信号大于所述第一参考温度信号时,所述第二开关和所述第三开关基于所述第一比较电路的所述第一输出而接通,并且当所述第一感测温度信号小于所述第一参考温度信号时,所述第二开关和所述第三开关基于所述第一比较电路的所述第一输出而断开。

5.如权利要求1所述的放电电路,其中:当所述第一感测温度信号比所述第一参考温度信号大第一预定量时,所述第二开关和所述第三开关基于所述第一比较电路的所述第一输出而接通,并且当所述第一感测温度信号比所述第一参考温度信号小第二预定量时,所述第二开关和所述第三开关基于所述第一比较电路的所述第一输出而断开。

6.如权利要求1所述的放电电路,其中:

当所述第一开关断开时,来自所述感性负载的功率由所述放电电路以第一速率耗散直到所述第一感测温度信号大于所述第一参考温度信号,并且

当所述第一感测温度信号大于所述第一参考温度信号时,所述放电电路以慢于所述第一速率的第二速率耗散功率。

7.如权利要求6所述的放电电路,其中:

所述放电电路以所述第二速率耗散功率直到所述第一感测温度信号下降到比所述第一参考温度信号低第一预定量;并且

在所述第一感测温度信号下降到比所述第一参考温度信号低第二预定量之后,所述放电电路以所述第一速率耗散功率。

8.如权利要求1所述的电路,其中:所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关中的每一个都包括具有体到外延二极管的晶体管。

9.如权利要求1所述的放电电路,其中:所述感性负载包括电感器。

10.如权利要求1所述的放电电路,其中:所述第一温度感测电路感测所述第二开关的温度。

11.如权利要求10所述的放电电路,进一步包括:

第二齐纳二极管,所述第二齐纳二极管包括阳极和阴极,所述阳极连接到所述第一开关的所述控制端子并且所述阴极连接到所述电压源;以及

第二温度感测电路,所述第二温度感测电路用于基于所述第一开关的温度生成第二感测温度信号。

12.如权利要求11所述的放电电路,进一步包括第二比较电路,所述第二比较电路接收第二参考温度信号和所述第二感测温度信号并且生成第二输出。

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