[发明专利]一种有机发光二极管显示器件及其制作方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201810797987.2 申请日: 2018-07-19
公开(公告)号: CN108987599A 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 杜小波 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张京波;曲鹏
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 空穴传输层 有机发光二极管显示器件 阳极 显示装置 工作寿命 主体材料 阴极 电子传输层 有机发光层 依次叠加 劣化 制作 轨道
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管显示器件,包括:依次叠加设置的阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极,其特征在于,所述空穴传输层包括:N个子空穴传输层;

其中,第i+1子空穴传输层设置在第i子空穴传输层远离所述阳极的一侧;第i子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级大于第i+1子空穴传输层的主体材料的HOMO能级,1≤i≤N-1,N≥2。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述有机发光二极管显示器件还包括:空穴注入层和电子注入层;

其中,所述空穴注入层设置在阳极和第一子空穴传输层之间,所述电子注入层设置在电子传输层和阴极之间。

3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述有机发光二极管显示器件还包括:电子阻挡层、空穴阻挡层和光取出层;

其中,所述电子阻挡层设置在第N子空穴传输层和有机发光层之间,所述空穴阻挡层设置在有机发光层和电子传输层之间,所述光取出层设置在阴极远离阳极的一侧。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述第一子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级大于-5.4电子伏特。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述第二子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级小于-5.6电子伏特。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述N个子空穴传输层的厚度之和为1~400纳米。

7.一种有机发光二极管显示器件的制作方法,其特征在于,包括:

形成阳极;

在阳极上形成包括N个子空穴传输层的空穴传输层;其中,第i+1子空穴传输层设置在第i子空穴传输层远离阳极的一侧;第i子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级大于第i+1子空穴传输层的主体材料的HOMO能级,1≤i≤N-1,N≥2;

在第N子空穴传输层上依次形成有机发光层、电子传输层和阴极。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在阳极上依次形成包括N个子空穴传输层的空穴传输层包括:

在阳极上形成空穴注入层;

在空穴注入层上采用蒸镀工艺或者溶液制程工艺依次形成N个子空穴传输层。

9.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述在第N子空穴传输层上依次形成有机发光层、电子传输层和阴极包括:

在第N子空穴传输层上依次形成电子阻挡层和有机发光层;

在有机发光层上依次形成空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极;

在所述在第N子空穴传输层上依次形成有机发光层、电子传输层和阴极之后,所述方法还包括:

在阴极上形成光取出层。

10.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1~6任一项所述的有机发光二极管显示器件。

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