[发明专利]一种有机发光二极管显示器件及其制作方法、显示装置在审
| 申请号: | 201810797987.2 | 申请日: | 2018-07-19 |
| 公开(公告)号: | CN108987599A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
| 发明(设计)人: | 杜小波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张京波;曲鹏 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 空穴传输层 有机发光二极管显示器件 阳极 显示装置 工作寿命 主体材料 阴极 电子传输层 有机发光层 依次叠加 劣化 制作 轨道 | ||
1.一种有机发光二极管显示器件,包括:依次叠加设置的阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极,其特征在于,所述空穴传输层包括:N个子空穴传输层;
其中,第i+1子空穴传输层设置在第i子空穴传输层远离所述阳极的一侧;第i子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级大于第i+1子空穴传输层的主体材料的HOMO能级,1≤i≤N-1,N≥2。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述有机发光二极管显示器件还包括:空穴注入层和电子注入层;
其中,所述空穴注入层设置在阳极和第一子空穴传输层之间,所述电子注入层设置在电子传输层和阴极之间。
3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述有机发光二极管显示器件还包括:电子阻挡层、空穴阻挡层和光取出层;
其中,所述电子阻挡层设置在第N子空穴传输层和有机发光层之间,所述空穴阻挡层设置在有机发光层和电子传输层之间,所述光取出层设置在阴极远离阳极的一侧。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述第一子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级大于-5.4电子伏特。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述第二子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级小于-5.6电子伏特。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器件,其特征在于,所述N个子空穴传输层的厚度之和为1~400纳米。
7.一种有机发光二极管显示器件的制作方法,其特征在于,包括:
形成阳极;
在阳极上形成包括N个子空穴传输层的空穴传输层;其中,第i+1子空穴传输层设置在第i子空穴传输层远离阳极的一侧;第i子空穴传输层的主体材料的最高已占轨道HOMO能级大于第i+1子空穴传输层的主体材料的HOMO能级,1≤i≤N-1,N≥2;
在第N子空穴传输层上依次形成有机发光层、电子传输层和阴极。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在阳极上依次形成包括N个子空穴传输层的空穴传输层包括:
在阳极上形成空穴注入层;
在空穴注入层上采用蒸镀工艺或者溶液制程工艺依次形成N个子空穴传输层。
9.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述在第N子空穴传输层上依次形成有机发光层、电子传输层和阴极包括:
在第N子空穴传输层上依次形成电子阻挡层和有机发光层;
在有机发光层上依次形成空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极;
在所述在第N子空穴传输层上依次形成有机发光层、电子传输层和阴极之后,所述方法还包括:
在阴极上形成光取出层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1~6任一项所述的有机发光二极管显示器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





