[发明专利]有机膜形成用组合物、图案形成方法及有机膜形成用树脂

权利要求书

1.一种有机膜形成用组合物，其特征在于，含有：

(I)树脂，其在重复单元的至少一部分包含下述通式(1)所示的、包含芳香环的环结构AR与同四个所述AR键合的螺结构SP交替重复的结构；以及

(II)有机溶剂，

上述通式(1)中，SP为下述式(1-1)所示的螺结构，AR为下述式(1-2)所示的、包含芳香环的环结构，S1为0～3的整数，S2、S3、S4、S5各自独立地为0～4的整数，S1+S2+S3+S4+S5＝4；此处，虚线表示所述SP的环结构与所述AR的芳香环共有一边并键合，＊表示所述AR的芳香环与相邻重复单元的螺结构的环结构共有一边并键合，

上述式(1-1)中，X为羟基、碳原子数为1～10的烷氧基、酰氧基、烷基磺酰基、或芳基磺酰基，各基团的氢原子可以被氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、烷氧基、酰基、或酰氧基取代；虚线表示上述式(1-1)的环结构与上述通式(1)中的AR的芳香环共有一边并键合；另外，所述AR仅与螺结构的、相邻的边不被其他AR的芳香环共有且不具有所述X或螺键的边键合，

上述式(1-2)中，R可以全部相同或不同，其为碳原子数为1～20的饱和或不饱和的一价烃基，Q为-O-、-CO-、-(CO)-O-、或-O-(CO)-，q为0或1，R11为0～4的整数，S11为1～3的整数，2≤R11+2×S11≤6；虚线表示上述式(1-2)的芳香环与所述螺结构的环结构共有一边并键合；另外，所述螺结构仅与上述式(1-2)的芳香环的、相邻的边不被其他螺结构的环结构共有的边键合。

2.根据权利要求1所述的有机膜形成用组合物，其特征在于，所述有机膜形成用组合物进一步含有产酸剂。

3.一种图案形成方法，其特征在于，使用权利要求1所述的有机膜形成用组合物在被加工体上形成有机膜，使用含硅抗蚀剂下层膜材料在该有机膜上形成含硅抗蚀剂下层膜，使用光致抗蚀剂组合物在该含硅抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂上层膜，并在该抗蚀剂上层膜上形成电路图案，将该形成有电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩模并通过蚀刻将图案转印至所述含硅抗蚀剂下层膜，将该转印有图案的含硅抗蚀剂下层膜作为掩模并通过蚀刻将图案转印至所述有机膜，进一步，将该转印有图案的有机膜作为掩模并通过蚀刻将图案转印至所述被加工体。

4.一种图案形成方法，其特征在于，使用权利要求1所述的有机膜形成用组合物在被加工体上形成有机膜，使用含硅抗蚀剂下层膜材料在该有机膜上形成含硅抗蚀剂下层膜，在该含硅抗蚀剂下层膜上形成有机抗反射膜，使用光致抗蚀剂组合物在该有机抗反射膜上形成抗蚀剂上层膜，从而制成四层膜结构，在该抗蚀剂上层膜上形成电路图案，将该形成有电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩模并通过蚀刻将图案转印至所述有机抗反射膜及所述含硅抗蚀剂下层膜，将该转印有图案的含硅抗蚀剂下层膜作为掩模并通过蚀刻将图案转印至所述有机膜，进一步，将该转印有图案的有机膜作为掩模并通过蚀刻将图案转印至所述被加工体。

5.一种图案形成方法，其特征在于，使用权利要求1所述的有机膜形成用组合物在被加工体上形成有机膜，在该有机膜上形成选自氧化硅膜、氮化硅膜、及氮氧化硅膜中的无机硬掩模中间膜，使用光致抗蚀剂组合物在该无机硬掩模中间膜上形成抗蚀剂上层膜，在该抗蚀剂上层膜上形成电路图案，将该形成有电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩模并通过蚀刻将图案转印至所述无机硬掩模中间膜，将该形成有图案的无机硬掩模中间膜作为掩模并通过蚀刻将图案转印至所述有机膜，进一步，将该形成有图案的有机膜作为掩模并通过蚀刻将图案转印至所述被加工体。