[发明专利]氧化物半导体层的制备方法及装置

说明书

本发明提供了一种氧化物半导体层的制备方法及装置，属于显示技术领域。所述所述方法包括：在基板上形成氧化物半导体层；当所述氧化物半导体层包括厚度不同的多个区域时，向所述氧化物半导体层施加氧离子，以使所述氧化物半导体层的多个区域中的氧含量与所述氧化物半导体层的厚度正相关。本发明解决了因氧化物半导体层的厚度均匀性较差而导致显示面板的显示效果较差的问题。本发明用于制备氧化物半导体层。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种氧化物半导体层的制备方法及装置。

背景技术

随着科技的发展，显示面板的应用越来越广泛，显示面板包括基板以及设置在基板上的多个像素单元，像素单元通常包括氧化物半导体层。

在制备氧化物半导体层的过程中，需要将用于形成氧化物半导体层的多个靶材正对基板，并向多个靶材的一侧通入带电粒子，以及向该多个靶材施加正交电磁场，使得带电粒子在正交电磁场的作用下轰击靶材，进而使靶材上的部分材料被击出，并溅射到基板上，以得到氧化物半导体层。

但是，相关技术制备的氧化物半导体层的厚度均匀性较差，导致显示面板的显示效果较差。

发明内容

本申请提供了一种氧化物半导体层的制备方法及装置，可以解决相关技术中显示面板的显示效果较差问题，所述技术方案如下：

一方面，提供了一种氧化物半导体层的制备方法，所述方法包括：

在基板上形成氧化物半导体层；

当所述氧化物半导体层包括厚度不同的多个区域时，向所述氧化物半导体层施加氧离子，以使所述氧化物半导体层的多个区域中的氧含量与所述氧化物半导体层的厚度正相关。

可选的，所述方法还包括：

在向所述氧化物半导体层施加氧离子时，对所述氧化物半导体层进行退火。

可选的，所述向所述氧化物半导体层施加氧离子，包括：

向所述氧化物半导体层的多个区域中的每个区域施加氧离子。

可选的，所述基板位于制备腔体内，向所述氧化物半导体层的多个区域中的每个区域施加氧离子，包括：

向所述制备腔体内通入氧气；

向所述氧化物半导体层的多个区域中的每个区域照射紫外线，以使所述每个区域上的氧气解离得到所述氧离子，以及所述氧离子进入所述氧化物半导体层；

其中，所述氧化物半导体层的多个区域中，照射至区域的紫外线的波长与区域的厚度负相关。

可选的，所述在基板上形成氧化物半导体层，包括：

采用磁控溅射法在所述基板上形成所述氧化物半导体层。

可选的，所述氧化物半导体层为薄膜晶体管中的有源层。

可选的，所述氧化物半导体层的材质为铟镓锌氧化物或铟锡锌氧化物。

可选的，所述氧化物半导体层的多个区域包括：厚度为1090埃的第一区域，以及厚度为1063埃的第二区域，照射至所述第一区域的紫外线的波长为30纳米，照射至所述第二区域的紫外线的强度为100纳米。

另一方面，提供了一种氧化物半导体层的制备装置，所述半导体层的制备装置包括：镀膜设备，用于在基板上形成氧化物半导体层；氧含量调节设备，用于当所述氧化物半导体层包括厚度不同的多个区域时，向所述氧化物半导体层施加氧离子，以使所述氧化物半导体的多个区域中的氧含量与所述氧化物半导体层的厚度正相关。

可选的，所述制备装置还包括：

退火炉，用于在向所述氧化物半导体层施加氧离子时，对所述氧化物半导体层进行退火。