[发明专利]具有增强层的OLED装置及其制造方法

权利要求书

1.一种改进OLED的操作的方法，其中所述OLED包含包括有机发射材料的有机发射层，所述方法包含：

通过提供增强层来最大化来自所述有机发射材料的激发态能量向所述增强层中的表面等离子极化激元的非辐射转移，所述增强层包含展现表面等离子共振的、非辐射地耦合到所述有机发射材料的且与所述有机发射层相距不超过阈值距离的等离子材料，

其中所述有机发射材料归因于所述增强层的存在而具有总非辐射衰减速率常数和总辐射衰减速率常数，并且所述阈值距离是所述总非辐射衰减速率常数等于所述总辐射衰减速率常数之处；和

通过将来自所述表面等离子极化激元的能量散射穿过出耦层从而从所述增强层发射光到自由空间中，所述出耦层被提供得以接近于所述增强层但与所述有机发射层相对。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述增强层是至少一组由周期性地、准周期性地或随机地布置的波长尺寸的或亚波长尺寸的特征形成的光栅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述增强层是至少一组由周期性地、准周期性地或随机地布置的具有锐边缘的波长尺寸的或亚波长尺寸的特征形成的光栅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子材料是选自由Ag、Au、Al、Pt和这些材料的任何组合的合金组成的群组。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述等离子材料是Ag。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述出耦层包含绝缘材料、半导体材料、金属或其任何组合。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述出耦层是至少一组由周期性地、准周期性地或随机地布置的波长尺寸的或亚波长尺寸的特征形成的光栅。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述波长尺寸的特征和所述亚波长尺寸的特征具有锐边缘。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述出耦层在主体材料中包含多个粒子，其中所述多个粒子的实际尺寸小于发射到自由空间的所述光的波长。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述多个粒子是非球形纳米粒子，所述非球形纳米粒子具有三维形状。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述三维形状包含杆、立方体和锐边缘。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述三维形状包含多面体。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述出耦层包含图案化金属膜。