[发明专利]一种指纹识别芯片以及终端设备有效
申请号: | 201810794281.0 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN110738075B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 刘玉青 | 申请(专利权)人: | 敦泰电子有限公司 |
主分类号: | G06V40/13 | 分类号: | G06V40/13;H01L27/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 开曼群岛大开曼KY1-11*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 指纹识别 芯片 以及 终端设备 | ||
1.一种指纹识别芯片,其特征在于,所述指纹识别芯片包括指纹侦测阵列模块以及与所述指纹侦测阵列模块连接的指纹信息处理模块,所述指纹侦测阵列模块用于根据用户的手指指纹生成初始信息,所述指纹信息处理模块用于将所述初始信息转化为指纹信息;
所述指纹识别芯片设有静电保护电路,所述静电保护电路用于当所述指纹侦测阵列模块上形成静电时,对所述指纹信息处理模块进行静电保护。
2.根据权利要求1所述的指纹识别芯片,其特征在于,所述静电保护电路包括:
从所述指纹侦测阵列模块引出第一电源线路,从所述指纹信息处理模块引出第二电源线路;以及,
从所述指纹侦测阵列模块引出第一接地线路,从所述指纹信息处理模块引出第二接地线路。
3.根据权利要求2所述的指纹识别芯片,其特征在于,所述第一电源线路以及所述第一接地线路的电阻值分别不大于5Ω。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的指纹识别芯片,其特征在于,所述静电保护电路包括:
在所述指纹侦测阵列模块与所述指纹信息处理模块之间的传输线路上设置第一保护电阻,所述第一保护电阻设于第一缓冲器B1与第二缓冲器B2之间,所述B1设于所述传输线路上连接所述指纹侦测阵列模块的一端,所述B2设于所述传输线路上连接所述指纹信息处理模块的一端。
5.根据权利要求4所述的指纹识别芯片,其特征在于,当所述B1以及所述B2的传输方向为从所述指纹侦测阵列模块至所述指纹信息处理模块时,所述B2设有P型MOS管Q1以及N型MOS管Q2,所述Q1的漏极D1以及栅极G1相连并连接所述B2的电源端,所述Q2的源极S2以及栅极G2相连并连接所述B2的接地端,所述Q1的源极S1以及所述Q2的漏极D2相连并连接所述B2的输入端;或,
当所述B1以及所述B2的传输方向为从所述指纹信息处理模块至所述指纹侦测阵列模块时,所述B1设有P型MOS管Q3以及N型MOS管Q4,所述Q3的漏极D3以及栅极G3相连并连接所述B1的电源端,所述Q4的源极S4以及栅极G4相连并连接所述B1的接地端,所述Q3的源极S3以及所述Q4的漏极D4相连并连接所述B1的输入端。
6.根据权利要求4所述的指纹识别芯片,其特征在于,所述第一保护电阻的电阻值范围为500Ω至10kΩ。
7.根据权利要求1所述的指纹识别芯片,其特征在于,所述指纹侦测阵列模块包括多个感应电极单元以及与所述感应电极单元一一对应的指纹像素单元,每个所述指纹像素单元分别设有P型MOS管Q5以及N型MOS管Q6,所述Q5的漏极D5连接所述指纹像素单元的电源端,所述Q6的源极S6连接所述指纹像素单元的接地端,所述Q5的源极S5与所述Q6的漏极D6相连并连接所述指纹像素单元的输入端,多个所述Q5的栅极G5相连并通过第二保护电阻连接电源,多个所述Q6的栅极G6相连并通过第三保护电阻接地,所述感应电极与所述输入端连接。
8.根据权利要求7所述的指纹识别芯片,其特征在于,所述感应电极单元与所述输入端之间的传输线路上设有第四保护电阻。
9.根据权利要求7所述的指纹识别芯片,其特征在于,所述第二保护电阻以及所述第三保护电阻的电阻值范围分别为1kΩ至100kΩ。
10.一种终端设备,其特征在于,所述终端设备包括权利要求1至9中任一项所述的指纹识别芯片。
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