[发明专利]一种应用于AC-DC系统的恒流装置

说明书

本发明属于集成电路技术领域，提供了一种应用于AC‑DC系统的恒流装置，包括偏置电流模块、电容模块和比较器模块，所述偏置电流模块、电容模块和比较器模块依次电连接。本发明采用开关控制恒流，无需环路控制，结构设计简单，恒流精度高，无环路稳定性问题。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种应用于AC-DC系统的恒流装置。

背景技术

如图1所示的电路是现有技术中典型的AC-DC系统应用电路，该电路中的芯片为控制芯片，通过控制芯片与三极管、电阻、电容、肖特基二极管等外部器件一起，构成了AC-DC系统应用电路。

图2为上述控制芯片的内部电路结构图，现有技术是将CS电压作为运算放大器AMP1的正输入端，基准电压VREF1作为运算放大器AMP1的负输入端，运算放大器的输出接后续比较器COMP1的正输入端，比较器COMP1的负输入端接基准电压VREF2，比较器是输出信号为PWM，用来控制三极管的开和关。

现有技术是一个大的环路控制系统，传统恒流电路的环路控制结构，具有设计难度高、稳定性差的缺点。

发明内容

针对以上问题的不足，本发明提供了一种应用于AC-DC系统的恒流装置，采用开关控制恒流，无需环路控制，结构设计简单，恒流精度高，无环路稳定性问题。

本发明提供了一种应用于AC-DC系统的恒流装置，包括偏置电流模块、电容模块和比较器模块，所述偏置电流模块、电容模块和比较器模块依次电连接。

优选地，所述偏置电流模块包括mos管P1、mos管P2、mos管P3、mos管P4、mos管P5、开关管SW1、开关管SW2、mos管N1、mos管N2和mos管N3；

mos管N1、mos管N2、mos管N3的源极和衬底均接地；mos管P1、mos管P2、mos管P5的源极和衬底均接电源；mos管N2的栅极和漏极短接，mos管P1的栅极和漏极短接，mos管P3的栅极和漏极短接；

mos管N1的栅极接偏置电压，mos管N1的漏极接mos管P3的栅极和mos管P4的栅极；

mos管P3的衬底接电源，mos管P3的源极接mos管P1的栅极、mos管P2的栅极以及mos管P5的栅极；

mos管P4的衬底接电源，mos管P4的源极接mos管P2的漏极，mos管P4的漏极接mos管N2的栅极以及mos管N3的栅极；

mos管P5的漏极经依次串联的开关管SW1和开关管SW2接mos管N3的漏极；

开关管SW1和开关管SW2的公共端接电容模块。

优选地，所述电容模块包括电容C1；

开关管SW1和开关管SW2的公共端接电容C1的一端，电容C1的另一端接地。

优选地，所述比较器模块包括pmos管P6、pmos管P7、pmos管P8、pmos管P9、nmos管N4、nmos管N5、nmos管N6、nmos管N7和nmos管N8；

mos管N6、mos管N7、mos管N8的源极和衬底均接地，mos管P6、mos管P7、mos管P8、mos管P9的源极和衬底均接地；

mos管P6的栅极和漏极短接，mos管N4的衬底和源极短接，mos管N5的衬底和源极短接；

mos管N4的栅极接电容C1的一端，mos管的漏极接mos管P6的栅极以及mos管P7的栅极，

mos管N5的栅极接基准电压，mos管N5和mos管P7的漏极均接mos管P8的栅极；mos管N5和mos管N4的源极均接mos管N6的漏极；