[发明专利]AMOLED显示面板的驱动系统及AMOLED显示面板在审
申请号: | 201810789971.7 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN108665855A | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 徐向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 测试像素 显示区 亮度传感器 指纹识别区 驱动器 驱动系统 处理器 像素 补偿电压 非显示区 像素提供 像素显示 检测 响应 | ||
本发明公开了一种AMOLED显示面板的驱动系统,包括:处理器、第一测试像素组、第二测试像素组、第一亮度传感器、第二亮度传感器和补偿驱动器,其中,AMOLED显示面板包括显示区和非显示区,其中,显示区包括指纹识别区和普通显示区,其中,第一亮度传感器检测第一测试像素组的亮度以得到第一测试像素亮度,第二亮度传感器检测第二测试像素组的亮度以得到第二测试像素亮度,处理器将第一测试像素亮度和第二测试像素亮度分别与像素标准亮度进行比较以得到比较结果,补偿驱动器响应于比较结果分别向指纹识别区和普通显示区所包括的所有像素提供相应的补偿电压以使指纹识别区和普通显示区的所有像素显示像素标准亮度。
技术领域
本发明总体说来涉及显示技术领域,更具体地讲,尤其涉及一种AMOLED显示面板的驱动系统及AMOLED显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、超轻薄、宽视角、低功耗和可弯曲等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
与液晶显示装置TFT-LCD相比,AMOLED除了需要使用开关薄膜晶体管之外,还需要使用驱动薄膜晶体管,由驱动薄膜晶体管在饱和状态下产生的电流驱动有机发光二极管发光。目前,现有的用于AMOLED的像素驱动电路通常为“2T1C”电路形式架构,即两个薄膜晶体管加一个电容器和一个有机发光二极管的结构,如图1所示,“2T1C”像素驱动电路,包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、电容器C和有机发光二极管D,所述第一薄膜晶体管T1为开关薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管T2为驱动薄膜晶体管,所述电容器C为存储电容。具体地,所述第一薄膜晶体管T1的栅极连接到扫描线Gate,源极连接到数据线Date,漏极连接到所述第二薄膜晶体管T2的栅极,所述第二薄膜晶体管T2的源极连接电源电压Vdd,漏极连接到有机发光二极管T2的阳极,所述有机发光二极管T2的阴极接地,电容器C的一端连接到所述第二薄膜晶体管T2的栅极,另一端连接到有机发光二极管D的阳极。该“2T1C”像素驱动电路的工作过程分两个阶段:第一阶段为扫描信号Gate控制第一薄膜晶体管T1打开,数据信号Date经过第一薄膜晶体管T1进入到第二薄膜晶体管T2的栅极及电容器C,电容器C充电至数据信号电压,然后第一薄膜晶体管T1关闭;第二阶段为在电容器C的存储作用下,第二薄膜晶体管T2的栅极电压仍然可继续保持数据信号电压,使得第二薄膜晶体管T2处于导通状态,驱动电流流过有机发光二极管D,驱动有机发光二极管D发光。
流过有机发光二极管D的电流的计算公式为:
I=K×(Vdd-Vth)2,
其中,I为流过有机发光二极管D的电流,K为一常值系数,取决于第二薄膜晶体管T2的沟道尺寸、栅极绝缘层的介电系数、以及半导体材料的载流子迁移率,Vth为第二薄膜晶体管T2的阈值电压,Vdd为电源电压。
图2所示为具有指纹识别区的AMOLED显示面板结构示意图。如图2所示,具有指纹识别区的AMOLED显示面板包括指纹识别区和普通显示区,由于指纹识别区集成了指纹识别传感电路,因此,指纹识别区的O像素发光面积小于普通显示区的像素发光面积,也就是说,指纹识别区的像素需要更大的驱动电流,由公式1可知,则需要更大的驱动电压,而流经指纹识别区的像素的电流越大,指纹识别区的像素的亮度衰减越严重(如图3所示,电流越大亮度衰减越大),因此,随着AMOLED显示面板的使用寿命增加,指纹识别区与普通显示区的亮度差异越明显,这种差异极大地影响了画面的显示效果。
发明内容
有鉴于此,本发明目的是提供一种AMOLED显示面板的驱动系统,通过所述AMOLED显示面板的驱动系统,以解决现有的具有指纹识别区的AMOLED显示面板中指纹识别区和普通显示区亮度差异明显的缺陷。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810789971.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。