[发明专利]用于制造多个转换元件的方法和光电子器件有效
| 申请号: | 201810789482.1 | 申请日: | 2018-07-18 |
| 公开(公告)号: | CN109285936B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
| 发明(设计)人: | 马库斯·平德尔;马丁·布兰德尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;张春水 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制造 转换 元件 方法 光电子 器件 | ||
1.一种用于制造多个转换元件(100)的方法,所述方法具有如下步骤:
A)提供第一载体(1),
B)借助于第一施加技术(3)将第一元件(2)直接施加到所述第一载体(1)上,其中所述第一元件(2)具有转换材料(21),
C)借助于模压(5)将第二元件(4)直接施加到所述第一元件(2)上,其中所述第二元件(4)具有量子点(6),其中所述量子点(6)引入基体材料(7)中并且与所述转换材料(21)不同,其中所述第一施加技术(3)与所述模压(5)不同,
D)硬化从步骤C)中产生的基体材料(7),和
F)分割(9),使得产生多个转换元件(100),其中在所述分割之后将这样制造的转换元件施加到半导体芯片(10)上。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中所述第一施加技术(3)是喷涂或电泳沉积。
3.根据权利要求1或2所述的方法,
其中所述量子点(6)是有毒的。
4.根据权利要求1或2所述的方法,
其中所述量子点(6)选自:InP、CdS、CdSe、InGaAs、GaInP和CuInSe2。
5.根据权利要求1或2所述的方法,
其中所述转换材料(21)嵌入另一基体材料(22)中,并且所述第一元件(2)作为层成形。
6.根据权利要求1或2所述的方法,
其中所述第二元件(4)作为层成形。
7.根据权利要求1或2所述的方法,
其中所述第一元件(2)和所述第二元件(4)形成层序列。
8.根据权利要求1或2所述的方法,
其中所述基体材料(7)是硅树脂、聚硅氧烷、环氧化物或杂化材料。
9.根据权利要求5所述的方法,
其中所述另一基体材料(22)是硅树脂、聚硅氧烷、环氧化物或杂化材料。
10.根据权利要求1或2所述的方法,
其中所述第一载体(1)是薄膜、叠层或晶片。
11.根据权利要求1或2所述的方法,
其中至少一个转换元件(100)是固体照明装置的一部分。
12.根据权利要求1或2所述的方法,
其中至少一个转换元件(100)是背光照明装置的一部分。
13.根据权利要求1或2所述的方法,
其中所述第一元件(2)发射出自绿色波长范围的辐射,并且所述第二元件(4)发射出自红色波长范围的辐射,或者相反,并且其中所述半导体芯片(10)发射出自蓝色波长范围的辐射。
14.根据权利要求1或2所述的方法,
其中在步骤F)之前,步骤E):将在步骤D)之后产生的装置重新设置到第二载体(8)上,其中所述第二载体(8)是锯割薄膜。
15.根据权利要求1或2所述的方法,
其中在步骤F)之前,步骤E):将在步骤D)之后产生的装置重新设置到第二载体(8)上,其中所述第一载体(1)和所述第二载体(8)是相同的。
16.一种光电子器件(1000),所述光电子器件在光路中具有至少一个转换元件(100),所述转换元件根据权利要求1或2产生。
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