[发明专利]一种锆掺杂有机薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810789212.0 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109244239A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 陆旭兵;唐乃维;麦嘉盈 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L51/30 | 分类号： | H01L51/30;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机薄膜晶体管 制备 锆掺杂 镧锆氧化物 介电薄膜 源漏电极 栅电极 衬底 低工作电压 热处理 衬底表面 底栅电极 高迁移率 依次层叠 并五苯 前驱体 修饰层 上旋 涂覆 源层 沉积 薄膜 清洗 | ||
1.一种锆掺杂有机薄膜晶体管，其特征在于：包括衬底以及在衬底表面依次层叠的栅电极、镧锆氧化物介电薄膜、PαMS薄膜、并五苯有缘层和源漏电极。
2.根据权利要求1所述锆掺杂有机薄膜晶体管，其特征在于：所述镧锆氧化物介电薄膜中La与Zr的摩尔比为1:3-3:1。
3.根据权利要求2所述锆掺杂有机薄膜晶体管，其特征在于：并五苯有缘层的厚度为30-50nm。
4.一种锆掺杂有机薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：
S1：制备栅电极：在衬底上沉积底栅电极；
S2：制备介电薄膜：将镧锆氧化物前驱体溶液涂覆在栅电极上后进行热处理，制得镧锆氧化物介电薄膜；
S3：制备修饰层：在步骤S2得到的镧锆氧化物介电薄膜上旋涂PαMS溶液，再经过热处理得到PαMS薄膜作为修饰层；
S4：制备有源层：采用热蒸发法在PαMS薄膜上沉积并五苯有源层；
S5：制备源漏电极：在步骤S4得到的并五苯有源层上沉积金属源漏电极，得到锆掺杂有机薄膜晶体管。
5.根据权利要求4所述制备方法，其特征在于：步骤S2中所述镧锆氧化物前驱体溶液的制备方法为，将乙酰丙酮锆和乙酰丙酮镧溶于有机溶剂中，其中La与Zr的摩尔比为1:3-3:1。
6.根据权利要求4所述制备方法，其特征在于：步骤S2中所述热处理为在空气氛围、160-200℃下退火1-2h。
7.根据权利要求4所述制备方法，其特征在于：步骤S3中所述热处理为在100-140℃下退火5-20min。
8.根据权利要求4所述制备方法，其特征在于：所述并五苯有缘层的厚度为30-50nm。
9.根据权利要求4所述制备方法，其特征在于：所述金属源漏电极为铜源电极或金源电极，厚度为30-50nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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