[发明专利]像素驱动电路及液晶显示装置在审

专利信息
申请号: 201810786069.X 申请日: 2018-07-17
公开(公告)号: CN109061967A 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 刘司洋 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133;G09G3/36
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂;鞠骁
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 行子像素 液晶显示装置 像素驱动电路 液晶电容 薄膜晶体管 公共电压线 第一端 子像素 电性连接 电压产生 显示品质 阵列基板 扫描时 有效地 导通 基板 漏极 驱动 释放 应用 保证
【权利要求书】:

1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括阵列排布的多个子像素(10)、分别与多行子像素(10)对应的多条扫描线(20)、分别与多列子像素(10)对应的多条数据线(30)以及阵列基板公共电压线(40);

所述子像素(10)包括第一薄膜晶体管(T1)、第一液晶电容(C1)、第一存储电容(C2)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第二液晶电容(C3)及第二存储电容(C4);

每一子像素(10)中,所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接对应的扫描线(20),源极电性连接对应的数据线(30),漏极电性连接第一液晶电容(C1)的第一端;所述第一液晶电容(C1)的第二端接入彩膜基板公共电压;所述第一存储电容(C1)的第一端电性连接第一液晶电容(C1)的第一端,第二端电性连接阵列基板公共电压线(40);所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接对应的扫描线(20),源极电性连接对应的数据线(30),漏极电性连接第二液晶电容(C3)的第一端;所述第二液晶电容(C3)的第二端接入彩膜基板公共电压;所述第二存储电容(C4)的第一端电性连接第二液晶电容(C3)的第一端,第二端电性连接阵列基板公共电压线(40);所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接对应的扫描线(20),源极电性连接第二液晶电容(C3)的第一端;

设N正整数,除最后一行子像素(10)以外,在第N行子像素(10)中,每一子像素(10)的第三薄膜晶体管(T3)的漏极对应与第N+1行子像素(10)中的一子像素(10)的第二液晶电容(C3)的第一端电性连接。

2.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,设M为正整数,除最后一行子像素(10)以外,第N行第M列子像素(10)的第三薄膜晶体管(T3)的漏极与第N+1行第M列子像素(10)的第二液晶电容(C3)的第一端电性连接。

3.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述阵列基板公共电压线(40)接入阵列基板公共电压(Acom)。

4.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一液晶电容(C1)的第二端接地,所述第二液晶电容(C2)的第二端接地,所述彩膜基板公共电压为接地端电压。

5.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,最后一行子像素(10)的第三薄膜晶体管(T3)的漏极均电性连接阵列基板公共电压线(40)。

6.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,在最后一行子像素(10)中,每一子像素(10)的第三薄膜晶体管(T3)的漏极对应与第一行子像素(10)中的一子像素(10)的第二液晶电容(C3)的第一端电性连接。

7.如权利要求6所述的像素驱动电路,其特征在于,设M为正整数,最后一行第M列子像素(10)的第三薄膜晶体管(T3)的漏极与第一行第M列子像素(10)的第二液晶电容(C3)的第一端电性连接。

8.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)均为N型薄膜晶体管。

9.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)均为非晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物半导体薄膜晶体管。

10.一种液晶显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的像素驱动电路。

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