[发明专利]提高硅材料纯度的实现方法在审

专利信息
申请号: 201810778877.1 申请日: 2018-07-16
公开(公告)号: CN108706598A 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 羊实;庹开正 申请(专利权)人: 新疆泰宇达环保科技有限公司
主分类号: C01B33/24 分类号: C01B33/24;B03C1/02;B03C1/18
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 伍星
地址: 831100 新疆维吾尔自治区昌吉*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 输送带 输出轴 第一驱动机构 硅材料纯度 硅灰石粉 储存箱 进料口 叶片 电磁铁 磁性杂质 抖动机构 箱体顶部 磁铁 混杂 内壁 外壁 储存
【权利要求书】:

1.提高硅材料纯度的实现方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)打开第一输送带(3)的电机,驱动第一输送带(3)转动;

2)将研磨之后硅灰石粉缓慢倒入至进料口(1)内,硅灰石粉掉落至第一输送带(3)上;

3)打开第二驱动机构,利用抖动机构(2)对第一输送带(3)进行抖动;

4)第一输送带(3)将硅灰石粉送入至储存箱(4)内,然后打开第一驱动机构(6),同时给叶片(7)上的电磁铁通电,第一驱动机构(6)带动叶片(7)转动,对储存箱(4)内的硅灰石粉进行缓慢搅拌;

5)第一驱动机构(6)工作30-40min后,关闭第一驱动机构(6);

6)朝外拉动挡板(9),将除杂过后的硅灰石粉通过漏孔(8)掉落至第二输送带(11)上;

7)打开第二输送带(11)的电机,驱动第二输送带(11)转动,将掉落至第二输送带(11)上的硅灰石粉送至下一道加工工序;

8)当储存箱(4)内的硅灰石粉排出时,关闭叶片(7)上电磁铁的电源,将吸附在叶片(7)上电磁铁的磁性杂质掉落在第二输送带(11)上,利用第二输送带(11),将磁性杂质从箱体(12)内排出;

9)拉动拉杆(15),将接料箱(13)从箱体(12)内移出,将接料箱(13)内的磁性杂质排出。

2.根据权利要求1所述的提高硅材料纯度的实现方法,其特征在于,所述进料口(1)位于箱体(12)的顶部,所述箱体(12)的内部连接着第一输送带(3),第一输送带(3)位于进料口(1)的下方,所述第一输送带(3)的表面设有若干磁铁,所述第一输送带(3)之间还连接着抖动机构(2),所述箱体(12)的内壁上与储存箱(4)连接,储存箱(4)位于第一输送带(3)的下方,箱体(12)的外壁上连接着第一驱动机构(6),第一驱动机构(6)包括输出轴(5),输出轴(5)插入在储存箱(4)内,所述输出轴(5)上连接着若干叶片(7),叶片(7)上均设有电磁铁。

3.根据权利要求1所述的提高硅材料纯度的实现方法,其特征在于,所述抖动机构(2)包括凸轮(18)、从动轮(19)、连接块(20)、固定块(22)以及活动杆(21),所述固定块(22)与箱体(12)的内壁连接,活动杆(21)竖直穿插在固定块(22)内,并且活动杆(21)的底端与连接块(20)连接,所述从动轮(19)与连接块(20)连接,并且从动轮(19)能够在连接块(20)内转动,所述凸轮(18)位于从动轮(19)的下方。

4.根据权利要求3所述的提高硅材料纯度的实现方法,其特征在于,所述箱体(12)的外壁上连接着第二驱动机构,第二驱动机构的输出端与凸轮(18)连接。

5.根据权利要求1所述的提高硅材料纯度的实现方法,其特征在于,所述箱体(12)的侧壁上还设有开口(16),开口(16)内设有横板(14),横板(14)的一端位于第一输送带(3)的下方,另一端位于箱体(12)的外侧,所述横板(14)上连接着接料箱(13),接料箱(13)位于第一输送带(3)的下方,所述接料箱(13)的侧壁上还设有刮板(17),并且刮板(17)位于第一输送带(3)的底部。

6.根据权利要求5所述的提高硅材料纯度的实现方法,其特征在于,所述横板(14)的顶部还设有滑槽(25),所述滑槽(25)内设有与滑槽匹配的滑块(24),滑块(24)能够在滑槽(25)内移动,所述滑块(24)的顶部与接料箱(13)的底部连接。

7.根据权利要求4所述的提高硅材料纯度的实现方法,其特征在于,所述刮板(17)的侧壁上连接着拉杆(15),拉杆(15)一端与刮板(17)连接,另一端位于箱体(12)的外侧。

8.根据权利要求5所述的提高硅材料纯度的实现方法,其特征在于,所述刮板(17)朝向接料箱(13)方向的侧壁上还设有斜面(23)。

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