[发明专利]一种含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料及其制备方法

权利要求书

1.一种含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料，其特征在于所述发光材料的化学表达式为：

Zn_2+aGa_a(2-x)SiO_4+4a:xCr³⁺

式中：0＜a≤20，0.001≤x≤0.1。

2.根据权利要求1所述的一种含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料，其特征在于0.1≤a≤10，0.002≤x≤0.03。

3.根据权利要求1所述的一种含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料，其特征在于2≤a≤7，0.003≤x≤0.015；优选为a＝5或6，0.005≤x≤0.01。

4.一种根据权利要求1所述的含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料的制备方法，其特征在于以含锌化合物、含镓化合物、含硅化合物、含铬化合物为原料，采用高温固相法制得含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料。

5.根据权利要求4所述的含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)按化学表达式Zn_2+aGa_a(2-x)SiO_4+4a:xCr³⁺中的化学计量比，分别称取相应质量的原料含锌化合物、含镓化合物、含硅化合物、含铬化合物，将固体粉末原料研磨混匀得前驱体；

2)将前驱体放至坩埚中，在空气或氮气气氛下，在高温炉中升温至1100℃-1400℃温度下焙烧1-3次，所得焙烧产物经破碎、研磨得含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料。

6.根据权利要求5所述的含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料的方法，其特征在于研磨在玛瑙或刚玉研钵中进行，研磨时间为10-30min。

7.根据权利要求5所述的含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料的方法，其特征在于原料为各元素的氧化物，优选为氧化锌，氧化镓，氧化硅，氧化铬。

8.根据权利要求5所述的含硅尖晶石基质近红外长余辉发光材料的方法，其特征在于步骤2)中每次焙烧时间为3-24小时，升温速率为5℃/min～15℃/min。