[发明专利]一种具有嵌入式彩色滤色片阵列的图像传感器在审
申请号: | 201810778305.3 | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN108807443A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 徐辰;李跃;包德君;石文杰;邵泽旭 | 申请(专利权)人: | 昆山晔芯电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 215002 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩色滤色片 图像传感器 第一保护层 嵌入式 光电二极管阵列 金属格栅 挡光 限定腔 衬底 格栅 半导体 光电二极管 垂直对准 内部设置 图像色彩 分辨率 串光 抵接 | ||
1.一种具有嵌入式彩色滤色片阵列的图像传感器,其包括:
半导体衬底,所述半导体衬底内部设置有光电二极管阵列;
第一保护层,所述第一保护层位于所述光电二极管阵列的上方;
第一金属格栅,所述第一金属格栅形成于所述第一保护层上,并且具有多个与所述光电二极管阵列中每个光电二极管一一垂直对准的限定腔;
彩色滤色片阵列,每个彩色滤色片形成在一个限定腔中;以及
挡光格栅,所述挡光格栅设置在所述第一保护层中,且其顶部与所述第一金属格栅的底部抵接。
2.根据权利要求1所述的具有嵌入式彩色滤色片阵列的图像传感器,其特征在于,所述挡光格栅包括第二金属格栅和/或第一低折射率格栅,所述第一低折射率格栅的折射率小于所述第一保护层的折射率。
3.根据权利要求2所述的具有嵌入式彩色滤色片阵列的图像传感器,其特征在于,所述第一金属格栅用于将扩散至相邻像素区域的入射光反射至原像素区域;所述第二金属格栅用于吸收扩散至相邻像素区域的入射光。
4.根据权利要求3所述的具有嵌入式彩色滤色片阵列的图像传感器,其特征在于,所述第一金属格栅为铝格栅,所述第二金属格栅为钨格栅。
5.根据权利要求1所述的具有嵌入式彩色滤色片阵列的图像传感器,其特征在于,所述挡光格栅的底部位于所述第一保护层的内部,且与所述第一保护层的下表面存在间隙。
6.根据权利要求1所述的具有嵌入式彩色滤色片阵列的图像传感器,其特征在于,所述第一金属格栅外表面包覆有保护层。
7.根据权利要求6所述的具有嵌入式彩色滤色片阵列的图像传感器,其特征在于,所述保护层包括低折射率材料层,所述低折射率材料层的折射率小于每个彩色滤色片的折射率。
8.根据权利要求1所述的具有嵌入式彩色滤色片阵列的图像传感器,其特征在于,所述第一金属格栅上形成有第二低折射率格栅,所述第二低折射率格栅的折射率小于每个彩色滤色片的折射率。
9.根据权利要求1所述的具有嵌入式彩色滤色片阵列的图像传感器,其特征在于,所述第一金属格栅的高度小于所述彩色滤色片阵列的高度。
10.根据权利要求1所述的具有嵌入式彩色滤色片阵列的图像传感器,其特征在于,所述半导体衬底与所述第一保护层之间设置有第二保护层,所述第二保护层与所述第一保护层之间设置有高介电层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的