[发明专利]晶片侧面打码读码存储一体机及其使用方法在审
申请号: | 201810778032.2 | 申请日: | 2018-07-16 |
公开(公告)号: | CN108682647A | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 温秋玲;陆静;胡中伟;姜峰;黄辉;崔长彩;徐西鹏 | 申请(专利权)人: | 华侨大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭;张迪 |
地址: | 362000 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 移动载体 调节装置 位置调节装置 真空吸附平台 第二位置 第一位置 控制装置 打码器 读码器 晶圆片 一体机 打码 读码 存储 芯片制作过程 晶片侧面 质量跟踪 全流程 滑动 制备 种晶 侧面 监控 应用 | ||
本发明提供了一种晶片侧面打码读码存储一体机及其使用方法,包括真空吸附平台、打码器、读码器、移动载体、位置调节装置、控制装置;所述打码器设置于移动载体上,所述移动载体包括第一移动载体、第二移动载体;所述读码器设置于所述位置调节装置上,所述位置调节装置包括第一位置调节装置、第二位置调节装置;所述控制装置控制所述第一移动载体、第二移动载体、第一位置调节装置和第二位置调节装置滑动;所述真空吸附平台用于放置和固定晶圆片。应用本技术方案可实现对晶圆片制备及后续芯片制作过程的全流程质量跟踪和监控。
技术领域
本发明涉及激光打码领域,具体是指一种晶片侧面打码读码存储一体机及其使用方法。
背景技术
单晶硅、单晶碳化硅、蓝宝石等材料的晶圆片因其具有良好的物理、化学和光电性能而被广泛应用于LED衬底、微电子器件和半导体器件等领域。在这些应用中,首先要制备符合要求的晶圆片,然后在晶圆表面制备所设计的电路形成芯片。为了对晶圆片进行数量统计、识别和质量监控,通常需要在晶圆表面打码进行标识。目前主要是在抛光好的晶圆表面边缘进行打码,用于后续芯片制备过程中对产品质量的跟踪与监控。而在前期晶圆制备过程中,晶圆表面需要经过研磨和抛光等加工工序,导致无法在晶圆表面打码,且无法对晶圆的码图案进行集中管理储存。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术中的不足,提供一种晶片侧面打码读码存储一体机及其使用方法,对晶圆片进行打码及存储标记晶圆片的码图案信息,实现对晶圆片制备及后续芯片制作过程的全流程质量跟踪和监控。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种晶片侧面打码读码存储一体机,包括真空吸附平台、打码器、读码器、移动载体、位置调节装置、控制装置;所述真空吸附平台设置于所述打码器与读码器之间;所述打码器设置于移动载体上,所述移动载体包括第一移动载体、第二移动载体;所述第一移动载体与所述打码器在第一方向上滑动连接,所述第一移动载体与所述第二移动载体在第二方向上滑动连接,所述第二移动载体设置于第一放置平台上并与所述放置平台在第三方向上滑动连接;所述第一移动载体及第二移动载体均与所述控制装置连接;
所述读码器设置于所述位置调节装置上,所述位置调节装置包括第一位置调节装置、第二位置调节装置;所述第一位置调节装置与所述读码器在第一方向上滑动连接,所述第二位置调节装置与所述第一位置调节装置在第二方向上滑动连接,所述第二位置调节装置设置于第二放置平台上并与所述第二放置平台在第三方向上滑动连接;所述第一位置调节装置及第二位置调节装置均与所述控制装置连接;
所述真空吸附平台包括一旋转支撑轴及支撑平台;所述旋转支撑轴与所述支撑平台同轴固定连接,所述旋转支撑轴连接所述控制装置,所述控制装置控制所述旋转支撑轴旋转;
所述控制装置控制所述第一移动载体、第二移动载体滑动、第一位置调节装置、第二位置调节装置滑动;所述读码器连接所述控制装置;所述真空吸附平台用于放置和固定晶圆片。
在一较佳的实施例中,所述第一移动载体上设置有第一导轨,所述打码器在所述第一导轨上与所述第一移动载体滑动连接;所述第二移动载体上设置有第二导轨,所述第一移动载体在所述第二导轨上与所述第二移动载体滑动连接;
所述第一位置调节装置上设置有第三导轨,所述读码器在所述第三导轨上与所述第一位置调节装置滑动连接;所述第二位置调节装置上设置有第四导轨,所述第一位置调节装置在所述第四导轨上与所述第二位置调节装置滑动连接。
在一较佳的实施例中,所述第一方向、第二方向、第三方向两两互相垂直。
本发明还提供了一种晶片侧面打码读码存储一体机的使用方法,采用了上述的晶片侧面打码读码存储一体机,包括以下步骤:
步骤一:真空吸附平台上吸附所述晶圆片,所述晶圆片所在平面与所述真空吸附平台平行;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华侨大学,未经华侨大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810778032.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:InSb薄膜转移装置
- 下一篇:切割晶圆的方法及半导体芯片
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造