[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

单晶的半导体基板，具有上表面，该上表面包含在进行了蚀刻率依赖于晶面取向的各向异性蚀刻时倒台面型的台阶延伸的第一方向和正台面型的台阶延伸的第二方向；

第一双极晶体管，包含在所述半导体基板上外延生长的第一集电极层、第一基极层以及第一发射极层；以及

第一基极布线，与所述第一基极层连接，

在所述第一基极层的边缘设置有台阶，

所述第一基极布线在俯视下在与所述第一方向交叉的方向上从所述第一基极层的内侧引出至外侧，

所述第一基极层的边缘与所述第一基极布线的交叉部位设为断线防止构造，所述断线防止构造与对所述第一基极层和所述第一集电极层进行各向异性蚀刻而形成的倒台面型的台阶和所述第一基极层交叉的构造相比，不易产生起因于台阶的所述第一基极布线的断线，

在所述第一基极层的在所述第一方向上延伸的边缘形成的台阶相对于所述半导体基板的上表面垂直或设为正台面型，由此构成所述断线防止构造。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具有：子集电极层，掺杂剂的浓度比所述第一集电极层高，并配置在所述半导体基板与所述第一集电极层之间，

在所述第一集电极层的边缘设置有高度到达所述子集电极层的台阶，

所述半导体装置还具有：

第一集电极电极，与所述第一集电极层的外侧的所述子集电极层进行欧姆连接；以及

电路元件，所述第一集电极层扩展至比所述第一基极层更靠外侧，所述电路元件配置在比所述第一基极层更靠外侧的所述第一集电极层上，并与所述第一基极布线连接，

在所述第一集电极层的在所述第一方向上延伸的边缘形成有倒台面型的台阶。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

还具有：第一基极电极，与所述第一基极层进行欧姆连接，

所述第一基极布线包含在俯视下从所述第一基极层的边缘朝向所述第一基极层的内侧呈直线状延伸的直线部分，

所述第一基极电极包含与所述第一基极布线的直线部分重叠的直线部分，

所述第一基极布线的直线部分与所述第一基极电极的直线部分连接，

在所述第一基极电极的两侧分别配置有构成所述第一发射极层的半导体部分。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，

设置在所述第一基极层的边缘的台阶的高度方向上的尺寸小于所述第一基极布线的厚度方向上的尺寸。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中，

还具有：

第二双极晶体管，包含在所述半导体基板上外延生长的第二集电极层、第二基极层以及第二发射极层；以及

第二基极布线，与所述第二基极层连接，

在所述第二基极层的边缘设置有台阶，

所述第二基极布线在俯视下与所述第二基极层的在所述第二方向上延伸的边缘交叉，并从所述第二基极层的内侧引出至外侧。