[发明专利]一种超薄氮化硼纳米片及其分散液的制备方法

说明书

本发明属于纳米材料技术领域，涉及一种超薄氮化硼纳米片及其分散液的制备方法，采用一步水热法在实验室制备超薄氮化硼纳米片，以廉价的硼酸与氨水为原料，水热反应一定时间后，制备得到氨基和羟基同时修饰的氮化硼量子点溶液；然后冷却，室温条件下放置一周，经过滤，洗涤，即可得到白色透明的氮化硼晶体；最后将其加入超纯水中，缓慢加热至60～80℃，氮化硼晶体逐渐溶解，得到无色透明的溶液，即为超薄氮化硼纳米片的分散液，该分散液经过冷冻干燥，即可得到超薄氮化硼纳米片粉末。本发明所述方法具有成本低、工艺简单、易于产业化生产等优点，获得的超薄氮化硼纳米片尺寸分布均匀、结晶度高且在水溶液中分散性好。

技术领域

本发明属于纳米材料技术领域，涉及一种超薄氮化硼纳米片及其分散液的制备方法。

背景技术

六方氮化硼是一种类石墨烯材料，由于其结构与石墨烯类似，六方氮化硼纳米片又被称为白石墨烯。六方氮化硼的带隙较宽(大约5.7eV)，导热性很好，具有超稳定的化学性质，无毒，高机械强度，强绝缘性等优点，六方氮化硼纳米片已被广泛用于化妆品、润滑油、陶瓷添加剂等领域。目前六方氮化硼纳米片的制备方法主要有两种：自上而下的剥离法和自下而上的化学合成法。

自上而下的剥离方法是把庞大的块状化合物剥离成为单层和几层的二维纳米材料，根据剥离方法不同，可分为机械剥离、液体剥离和化学氧化刻蚀法剥离。但与其它二维材料的结构不同，氮化硼在同一层内B和N之间通过B-N强共价键结合，B原子上存在一个空轨道，N原子上有一对孤对电子，层与层之间原子叠放时，B原子在N原子之上，两者形成另一种配位键的形式，因此B-N化学键之间的极性很大，氮化硼层与层之间的相互作用力比较强。所以，采用剥离法制备六方氮化硼纳米片时，难度更大，所需要的剥离时间更长。并且，氮化硼的化学稳定性很好，边缘没有羧基等活性高的含氧官能团，因此不宜采用化学氧化刻蚀法进行剥离。

自下而上的化学合成法主要是通过前驱体之间的化学反应，制备得到所需的超薄二维纳米材料，目前制备超薄六方氮化硼纳米片的方法主要采用的是化学气相沉积法(CVD)。在典型的CVD过程中，将诸如Cu箔，Ni箔或硅晶片的衬底放入管式炉中，并在惰性气体保护下，高温通入前驱体，这个过程中，前驱体在衬底表面上先分解后反应形成单层或几层2D超薄纳米材料。纳米材料的质量，尺寸和厚度可以通过调整实验条件进行有效控制。比如，Kong等人首次采用环硼氮烷为原料，在多晶Ni的表面，低压、氮气环境下大规模生长了多层六方氮化硼，反应温度低至400℃，并且合成的六方氮化硼的厚度可以通过调节环硼氮烷的流量进行调节，当流量由2sccm/h增大至10sccm/h时，六方氮化硼的厚度由5nm增大至50nm。所得超薄氮化硼纳米片可以通过湿刻蚀法转移至其它底物进行进一步表征或应用。为了制备单层六方氮化硼，继续对反应条件进行优化，结果通过设置两个反应温度区域，首先在130℃的区域对环硼氮烷进行预加热，然后再使其在1000℃的温度下生长成单层六方氮化硼。Guo等人以氨硼烷为原料，先在55～80℃条件下预热使其转化成气体，随后与氢气一起通入反应器，1035℃反应50min后即可得到单层六方氮化硼。化学气相沉积法的突出优点是可以制备大规模的超薄六方氮化硼，并且可以精确控制氮化硼纳米片的厚度，但该方法存在三个缺点：(1)反应底物必须超级光滑，否则影响六方氮化硼晶体的生长，因此需要采用浓磷酸、氢氟酸等强酸进行反复清洗，不仅耗费时间，而且所需化学品具有强腐蚀性。(2)反应温度高。目前为止，CVD法所需的温度一般都在1000℃左右，最低温度为400℃。(3)反应过程需要在惰性环境或氢气环境下进行。(4)形成的超薄材料紧紧附着在衬底上，不容易转移，这些缺点严重限制了CVD法广泛用于实验室。

目前国内外还没有在温和条件下合成超薄氮化硼纳米片的报道。因此，本发明的目的是设计一种操作简单的化学合成方法，在实验室条件下制备超薄氮化硼纳米片，对于其性能研究和应用推广具有重要的理论和现实意义。

发明内容