[发明专利]一种下限为10-10Pam3/s的正压漏孔校准系统与方法

权利要求书

1.一种下限为10^-10Pam³/s的正压漏孔校准系统，其特征在于，

该系统包括：分子泵抽气系统、一个高纯氦气瓶、一个高纯氮气瓶、一个气体采样阀门(V4)、十个真空阀门(V1，V2，V3，V5，V6，V7，V8，V9，V10，V11)、三个真空室(VC1，VC2，VC3)、三个真空计(G1，G2，G3)、一个四极质谱仪(G4)、一个分子流进样元件、一个吸气剂泵、一个被校正压漏孔和一个恒温箱，

该系统中，分子泵抽气系统通过第一真空阀门(V1)、第二真空阀门(V2)与气体采样阀门(V4)入口相连接，抽气系统通过第三真空阀门(V3)、第五真空阀门(V5)与气体采样阀门(V4)的出口连接，高纯氦气瓶通过第二真空阀门(V2)与第一真空计(G1)和气体采样阀门(V4)入口连接，高纯氮气瓶通过第五真空阀门(V5)与气体采样阀门(V4)出口连接，气体采样阀门(V4)的出口与第二真空计(G2)、第六真空阀门(V6)、第七真空阀门(V7)和第八真空阀门(V8)连接，第六真空阀门(V6)另一端与真空室(VC1)相连接，第七真空阀门另一端与安装于恒温室内的被校正压漏孔相连接，第八真空阀门(V8)另一端与第九真空阀门和分子流进样元件分别相连接，第九真空阀门(V9)和分子流进样元件的另一端均与质谱分析室(VC2)相连接，第三真空计(G3)和四极质谱分析仪(G4)安装在质谱分析室(VC2)上，分子泵抽气系统和吸气剂泵分别通过第十真空阀门(V10)、第十一真空阀门(V11)与质谱分析室(VC2)连接。

2.如权利要求1所述的校准系统，其特征在于，所述第一真空计(G1)为满量程为100Torr的电容薄膜规(CDG)，第二真空计(G2)是满量程为1000Torr的电容薄膜规(CDG)，以上真空计测量前稳定6小时以上，并且需要调零；第三真空计(G3)为复合型真空计。

3.如权利要求1所述的校准系统，其特征在于，第一真空室(VC1)的内壁非常平滑、无气体死角、容积约为100mL的真空室，其精确容积经计量机构计量确定。

4.如权利要求1所述的校准系统，其特征在于，将被校正压漏孔与第七真空阀门(V7)之间的全金属密封结构作为气体累积室，该金属密封结构经特殊设计，加工过程采用包括清洗、高温退火、镀膜等超高真空处理，使用期间定期进行整体烘烤除气处理，烘烤温度设为150℃，整体容积小于1mL，其精确容积由静态膨胀法测量确定。

5.如权利要求1所述的校准系统，其特征在于，将第二真空阀门与取样阀门之间的全金属密封结构作为气体取样室，该金属密封结构经特殊设计，加工过程采用包括清洗、高温退火、镀膜等超高真空处理，使用期间定期进行整体烘烤除气处理，烘烤温度设为150℃，整体容积小于1mL，其精确容积由静态膨胀法测量确定。

6.如权利要求1所述的校准系统，其特征在于，分子流进样元件是精细加工、内壁光滑的直径约为5um、厚度约为2mm的短管，两端可承受的最大压力差为105Pa。

7.如权利要求1所述的校准系统，其特征在于，吸气剂泵对活性气体抽速很大，而对惰性气体的抽速为零，可以保持使质谱分析室(VC2)中保持超高真空状态，又不抽除示漏He气，满足四极质谱仪(G4)的正常工作条件。