[发明专利]一种基于调控ZIF-8薄膜暴露晶面比例的方法有效
| 申请号： | 201810771292.7 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN108892392B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 田守勤;刘秋芬;吴森伟 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C03C17/32 | 分类号： | C03C17/32;C08G83/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 调控 zif 薄膜 暴露 比例 方法 | ||
1.一种基于调控ZIF-8薄膜暴露{110}晶面与{211}晶面相对强度的比例的方法，其特征在于，包含如下步骤：
a、将Zn(OAc)2·2H2O和2-甲基咪唑混合溶解于溶剂中配制ZIF-8溶胶；
b、薄膜衬底的清洗；
c、ZIF-8溶胶在衬底上旋涂成膜；
d、旋涂成膜后的样品的热处理；
步骤a中所述Zn(OAc)2·2H2O和2-甲基咪唑的摩尔比为1:6~20；所述2-甲基咪唑和溶剂的比例为0.025摩尔：10~25ml；
步骤a中所述溶剂选自甲醇。
2.如权利要求1所述的基于调控ZIF-8薄膜暴露{110}晶面与{211}晶面相对强度的比例的方法，其特征在于：步骤a中所述ZIF-8溶胶的具体配置过程为，将Zn(OAc)2·2H2O和2-甲基咪唑与溶剂混合，室温搅拌至少24h，得到均匀的白色悬浊液，即ZIF-8溶胶。
3.如权利要求1所述的基于调控ZIF-8薄膜暴露{110}晶面与{211}晶面相对强度的比例的方法，其特征在于：步骤b中所述的薄膜衬底为FTO导电玻璃，即F掺杂的SnO2导电玻璃；所述清洗过程为先用洗洁精手洗衬底，接着依次采用洗洁精溶液、二用酒精、去离子水以及新酒精超声清洗，每次超声时间为40-60min。
4.如权利要求1所述的基于调控ZIF-8薄膜暴露{110}晶面与{211}晶面相对强度的比例的方法，其特征在于：所述步骤c所述的旋涂成膜方法如下，将步骤b清洗后的衬底置于旋涂仪平台上，采用滴管滴加的方式将ZIF-8溶胶均匀涂覆在衬底上，利用旋涂仪的离心力均匀镀膜。
5.如权利要求4所述的基于调控ZIF-8薄膜暴露{110}晶面与{211}晶面相对强度的比例的方法，其特征在于：所述旋涂仪中参数的设定为：第一步转速500rp/min，时间10s，第二步转速3000rp/min，时间15s，旋涂一次即得到透明薄膜；利用上述的旋涂方法，旋涂不同配比的ZIF-8溶胶可得到不同暴露晶面比例的ZIF-8湿膜。
6.如权利要求1所述的基于调控ZIF-8薄膜暴露{110}晶面与{211}晶面相对强度的比例的方法，其特征在于：步骤d中关于旋涂后的ZIF-8湿膜的热处理过程如下，将步骤c所得的湿膜在70℃加热板上热处理2h，随后将加热板温度调制100℃保温30min-1h即得到热处理后的不同暴露晶面比例的ZIF-8薄膜。
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