[发明专利]一种以碘铅甲脒作为太阳能电池吸光层的工艺及其应用在审
申请号: | 201810771232.5 | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN109103337A | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 韩宏伟;侯晓萌;梅安意;胡玥;荣耀光 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 许恒恒;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 甲脒 太阳能电池 前驱液 吸光层 钙钛矿 溶剂 退火 澄清透明 介孔结构 溶剂氛围 溶剂蒸气 退火处理 蒸汽辅助 制备介孔 膜结构 挥发 碘甲 介孔 配比 制备 填充 配制 应用 溶解 | ||
1.一种内部含有碘铅甲脒的结构制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)制备介孔结构;
(2)含FAPbI3碘铅甲脒钙钛矿的前驱液的配制:将包括PbI2、FAI在内的原料按化学剂量比配比,然后溶解在溶剂中,搅拌均匀,获得澄清透明的前驱液;
所述溶剂为DMF、DMSO或两者的混合物,或者为DMSO和氯苯的混合物,或者为DMSO和酒精的混合物;
(3)将所述步骤(2)得到的所述前驱液填充于所述步骤(1)得到的所述介孔结构中,静置,然后在含有DMSO或同时含有DMSO与DMF的溶剂氛围下退火即可得到内部含有碘铅甲脒的结构。
2.如权利要求1所述内部含有碘铅甲脒的结构制备方法,其特征在于,对于所述步骤(2)得到的所述前驱液,该前驱液对应的前驱体溶质为包括FAPbI3钙钛矿在内的多种钙钛矿材料的混合物,该混合物中含有Cs+对应的钙钛矿材料,所述混合物优选为CsxFA1-xPbI3或(CsPbI3)x((FAPbI3)0.85(MAPbBr3)0.15)1-x,其中x满足x=0~0.15;
当所述前驱体溶质为CsxFA1-xPbI3或(CsPbI3)x((FAPbI3)0.85(MAPbBr3)0.15)1-x时,所述原料相应还包括CsI、PbBr2、MAI及MABr中的至少一种。
3.如权利要求2所述内部含有碘铅甲脒的结构制备方法,其特征在于,所述步骤(2)得到的所述前驱液中,所述前驱体溶质的浓度为1M,Cs+的含量在0~0.15M;
所述步骤(3)中,具体是向所述介孔结构中填充2.5~3.1μL所述前驱液,优选是填充3.0μL所述前驱液。
4.如权利要求1所述内部含有碘铅甲脒的结构制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,所述溶剂为DMF,或者为DMF与DMSO按体积比为6/1~4/1混合得到的混合物。
5.如权利要求1所述内部含有碘铅甲脒的结构制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,所述退火是在DMSO气体氛围下进行的;
优选的,所述退火所使用的退火温度不低于75℃,退火温度更优选为100℃,退火时间为30~60min,更优选为30min。
6.利用如权利要求1-5任意一项所述制备方法制备得到的内部含有碘铅甲脒的结构。
7.如权利要求6所述内部含有碘铅甲脒的结构在太阳能电池或光电探测器中的应用。
8.一种以碘铅甲脒作为太阳能电池吸光层的太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在衬底上依次制备透明导电层、电荷传输层、绝缘层和碳电极层,所述电荷传输层、所述绝缘层和所述碳电极层均具有介孔结构,由此得到具有三层介孔膜结构的空白器件;
(2)含FAPbI3碘铅甲脒钙钛矿的前驱液的配制:将包括PbI2、FAI在内的原料按化学剂量比配比,然后溶解在溶剂中,搅拌均匀,获得澄清透明的前驱液;
所述溶剂为DMF、DMSO或两者的混合物,或者为DMSO和氯苯的混合物,或者为DMSO和酒精的混合物;
(3)将所述步骤(2)得到的所述前驱液填充于所述步骤(1)得到的所述空白器件中,静置,然后在含有DMSO或同时含有DMSO与DMF的溶剂氛围下退火即可得到内部含有碘铅甲脒的太阳能电池,该太阳能电池即以碘铅甲脒作为太阳能电池吸光层的太阳能电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810771232.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择