[发明专利]一种基于多层介质膜上银纳米线电场模式的宽场超分辨显微成像装置在审
| 申请号： | 201810767089.2 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN108873286A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 向益峰;张斗国;王茹雪;王沛;明海 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G02B21/00 | 分类号： | G02B21/00;G02B27/58 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 杨学明;邓治平 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 银纳米线 多层介质膜 宽场 显微成像装置 电场模式 超分辨 光纤锥 泄露 超分辨成像 高数值孔径 本征模式 成像系统 传输过程 多层介质 角度辐射 显微物镜 远场成像 装置实现 电场 玻璃基 分辨率 光场 近场 油浸 远场 分辨 激光 激发 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于多层介质膜上银纳米线电场模式的宽场超分辨显微成像装置，其特征在于：包括：玻璃基底层(1)、多层介质膜(2)、银纳米线(3)和光纤锥(4)；其中，银纳米线(3)分散在乙醇中，滴在多层介质膜(2)上，待乙醇挥发之后，用传输590nm激发的光纤锥(4)靠近银纳米线，激发银纳米线(3)的电场模式。
2.根据权利要求1所述的一种基于介质多层膜上银纳米线电场模式的宽场超分辨显微成像装置，其特征在于：所述的多层介质膜(2)由厚度88nm高折射率介质Si3N4层(5)和厚度105nm的低折射率介质SiO2层(6)交替组成，顶层SiO2层(7)为缺陷层，一共14层。
3.根据权利要求1所述的一种基于多层介质膜上银纳米线电场模式的宽场超分辨显微成像装置，其特征在于：所述的银纳米线(3)是直径为60nm的银纳米线，表面包覆有一层厚度为15nm的PVP保护层。
4.根据权利要求1所述的一种基于多层介质膜上银纳米线电场模式的宽场超分辨显微成像装置，其特征在于：所述的光纤锥(4)是用通信波段的单模光纤通过光纤拉锥机制成。
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